„Zwischen AIXTRON und unserem Institut besteht seit vielen Jahren eine enge Verbindung“, sagt Professor Kei May Lau. „So konnten wir große Sachkenntnis über Technologie, Prozesse und Verfahrensweise aufbauen und wollen nun auch neue Projekte mit AIXTRON durchführen." Die Anlage bilde das Kernstück für die Erforschung von III/V-Verbindungshalbleitern auf Silizium – insbesondere die Hochtemperaturfähigkeit des Reaktors (>1.000 °C) sei dabei essenziell, so die Professorin.
Professor Lau hat seit 2000 eine Professur am Lehrstuhl für Elektro- und Computertechnik an der Universität HKUST. Dort etablierte sie das wissenschaftlich-technische Photonikzentrum für Forschung & Entwicklung mit einem besonderen Fokus auf Verbindungshalbleiter-Materialien und -Bauelementen. Sie ist IEEE-Mitglied und Forschungsbeauftragte der Croucher Foundation.
Die Arbeitsgruppe von Prof. Lau berichtete 2008 bei der IEDM-Konferenz über metamorphe Al0.50In0.50As/Ga0.47In0.53As-Transistoren (mHEMT) mit einer Gate-Länge von 1,0-μm und hohen Elektronenbeweglichkeiten, die mit einer AIXTRON 200/4-Anlage auf Siliziumsubstraten hergestellt wurden. Sie verfügten über eine Grenzfrequenz der Stromverstärkung (fT) von 37 GHz sowie einer maximalen Schwingfrequenz (fmax) von 55 GHz. Ebenfalls auf Silizium werden Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren auf Indium-Gallium-Arsenid-Basis entwickelt.
