AlGaN/GaN HEMT basierte Sensoren für polare Flüssigkeiten

Chemische Sensoren auf Basis von Galliumnitrid zeichnen sich gegenüber Si-basierten Sensoren durch eine weitaus höhere Empfindlichkeit (1-2 Größenordungen) und durch eine sehr viel höhere Robustheit aus (chemische Beständigkeit, Betrieb bei höheren Temperaturen). Das Projekt "GaNlisense" entwickelt GaN basierte Sensoren zur Erfassung von Verunreinigungen in polaren Flüssigkeiten. Ziel ist es, Sensitivität und chemische Selektivität der Sensoren zu optimieren. Das Projekt baut auf eine enge technologische Kooperation zwischen FBH und CEERI (Layout, Prozess und Charakterisierung). Dabei führt das FBH die GaN HEMT Epitaxie auf 4-Zoll Saphirsubstraten durch und prozessiert, basierend auf etablierten GaN Prozessmodulen, die ersten lithographisch kritischen Prozessebenen der Sensoren. Danach übernimmt CEERI die für die Sensoren charakteristischen Passivierungs- und Konditionierungsschichten und führt sensor-spezifische Charakterisierungen durch. Die in "GaNlisense" untersuchten und bewerteten Konzepte haben das Potenzial für ein sich daran anschließende größere Kooperationsprojekte.