StartseiteFörderungProjekteCluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben G

Cluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben G

Laufzeit: 01.08.2018 - 31.10.2021 Förderkennzeichen: 03INT501AG
Koordinator: Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB)

Das Ziel des vorgeschlagenen Projekts ist die Entwicklung hochtemperaturbeständiger Be-schichtungssysteme für niederinduktive und hochintegrierte Wide-Band-Gap (WBG) Leistungs-halbleitermodule. Neben der Verwendung eines geeigneten Isolationsmaterials im Zusammen-spiel mit entsprechendem Beschichtungsverfahren, werden neue Prüfverfahren konzipiert sowie bestehende Verfahren zum realitätsnahen Testen der Zuverlässigkeit der Isolationssysteme der WBG-Aufbauten weiterentwickelt.

Verbund: IsoGap - High Temperature Materials for WBG Power Electronics Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Japan Themen: Förderung Innovation

Weitere Informationen

Projektträger