StartseiteFörderungProjekteVerbundprojekt: Erste Pilotlinie für die kostengünstige Fertigung von Leistungselektronik der nächsten Generation - REACTION -; Teilvorhaben: Dünnen und Sägen von 8" SiC Wafern

Verbundprojekt: Erste Pilotlinie für die kostengünstige Fertigung von Leistungselektronik der nächsten Generation - REACTION -; Teilvorhaben: Dünnen und Sägen von 8" SiC Wafern

Laufzeit: 01.11.2018 - 30.04.2022 Förderkennzeichen: 16ESE0311
Koordinator: DISCO HI-TEC EUROPE GmbH

REACTION hat das Ziel mit die erste weltweite 200mm Silicon Carbide (SiC) Pilot Line Facility für Power Technologie aufzusetzen. Dies wird es der europäischen Industrie ermöglichen, neue und wettbewerbsfähige Lösungen für gesellschaftlich relevante und aktuelle Themen wie z.B. sparsame Energie, CO2 Reduktion sowie Nachhaltigkeit durch elektrische Mobilität und industrielle Energieeffizienz anbieten zu können. Zielsetzung: - Entwicklung und Demonstration der ersten weltweiten 200mm SiC Fertigungsanlage (Substrat, Equipment, Prozess) - Verbesserung der Produktivität und der Wettbewerbsfähigkeit in der von SiC Technologie im Bereich 6" - 8" Wafer

Verbund: Erste Pilotlinie für die kostengünstige Fertigung von Leistungselektronik der nächsten Generation Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Österreich Belgien Schweiz Spanien Frankreich Irland Israel Italien Polen Rumänien Slowakei Schweden Themen: Förderung Information u. Kommunikation

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