StartseiteFörderungProjekteVerbundprojekt: Intelligente GaN-Leistungselektronik für effiziente Energiewandlung - ALL2GaN -

Verbundprojekt: Intelligente GaN-Leistungselektronik für effiziente Energiewandlung - ALL2GaN -

Laufzeit: 01.05.2023 - 30.04.2026 Förderkennzeichen: 16MEE0289
Koordinator: NanoWired GmbH

Die NanoWired GmbH ermöglicht mit dem NanoWiring Prozess mehrere leistungsfähige Aufbau- und Verbindungsverfahren, das KlettWelding, das KlettGlueing sowie das KlettSintering. Gleichzeitig erlaubt das NanoWiring, fein strukturierte, eng beieinander liegende Kontakte herzustellen, die bspw. für die Anwendung von FlipChip Technologien eingesetzt werden können. Das Technologie-Portfolio von NanoWired ermöglicht es, das Potential der neu entwickelten Transistoren voll auszuschöpfen. Das Ziel ist es, die Technologien dahingehend weiter zu entwickeln, dass sie für die in All2GaN entwickelten und gefertigten Transistoren eingesetzt werden können. Ein besonderes Augenmerk liegt hier auf dem FlipChip Verfahren.

Verbund: Intelligente GaN-Leistungselektronik für effiziente Energiewandlung Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Österreich Belgien Tschechische Republik Dänemark Spanien Griechenland Niederlande Norwegen Slowakei Schweden Themen: Förderung Information u. Kommunikation

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