GaN4AP wird die Leistung und Zuverlässigkeit von Hochspannungs-GaN-Schaltbauteilen für Einsatzspannungen bis 1200 V weit über den aktuellen Stand der Technik hinaus vorantreiben. Eines der ambitionierten Ziele des Cluster 3 ist es eine komplette Wertschöpfungskette für vertikale GaN - Leistungselektronik zu entwickeln. Das beinhaltet die Herstellung von bulk GaN Substraten für die Epitaxie, Prozessentwicklung und Herstellung von vertikalen GaN-Bauelementen in einer industriekompatiblen Prozesslinie, was schlussendlich die Verifikation der neuentwickelten Bauelemente in einer Systemumgebung beinhaltet. FCM als erstes Kettenglied in dieser Wertschöpfungskette wird hierbei höchstleitfähige, freistehende GaN-Substrate mit einem hohen Durchmesser als Basismaterial für die vertikalen Bauelemente entwickeln. Hierfür soll eine HVPE Anlage mit liegendem Keim eingesetzt werden.
Verbundprojekt: Neuartige Leistungselektronik für verbesserte Energieeffizienz - GaN4AP -
Laufzeit:
01.06.2021
- 31.08.2025
Förderkennzeichen: 16MEE0202S
Koordinator: Freiberger Compound Materials Gesellschaft mit beschränkter Haftung
Verbund:
Neuartige Leistungselektronik für verbesserte Energieeffizienz
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Tschechische Republik
Frankreich
Italien
Niederlande
Polen
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation