Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -

Ziel von YESvGaN ist die Entwicklung hoch effizienter, kostengünstiger vertikaler Leistungstransistoren auf Basis des Wide Band Gap (WBG) Halbleiters Gallium Nitrid (GaN) für Spannungsklassen bis 1200 V und Ströme bis 100 A. In diesem Segment mit diversen Hochvolumenanwendungen (z.B. Inverter im E-mobil) sind aktuell nur effiziente, aber teure Siliziumkarbid Bauelemente (WBG) oder weniger effiziente aber günstige Silizium IGBTs verfügbar. Der innovative Membrantransistoransatz von YESvGaN zielt auf eine gleichwertige Performance zu aktuellen SiC Transistoren, bei vergleichbaren Kosten zu IGBTs, da das teure WBG Substrat für die Herstellung entfällt. YESvGaN bündelt die Kompetenz von 23 Akademie-, KMU- und Industriepartnern aus 6 europäischen Ländern. Diese decken die gesamte leistungselektronische Wertschöpfungskette vom Siliziumwafer, über die GaN-Epitaxie, Chiptechnologie und Aufbau- und Verbindungstechnik bis zum fertigen Modulbau ab Siltronic als Materiallieferant wird dabei den notwendigen GaN auf Silizium Wafer sowohl für 150mm wie auch 200mm Waferdurchmesser entwickeln und für die potenzielle Erweiterung der GaN auf Silizium Technologie zu noch größeren Durchmessern ein entsprechendes 300mm Silizium Basissubstrat bereitstellen.