Ziel dieses Projektes ist die Entwicklung einer Technologie zur Realisierung von Bauteilen der nächsten Generation von GaN basierenden Bauelementen für die Mikrowellen- und Leistungselektronik. Das übergeordnete Ziel des UltimateGaN-Projekts ist: Sicherung der führenden Position Europas bei Leistungshalbleitern durch die Förderung der Innovation bei den entscheidenden nächsten Generationen von GaN-Technologien sowie Ermöglichung erstklassiger Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit mit den neuesten GaN auf Si-Technologien. Ermöglichung des aufstrebenden Marktes für 5G-RF- und High-End-Leistungsanwendungen "made in Europe" durch frühestmöglichen Zugang zu den neuesten Technologien durch gemeinsame Forschung und Innovationen.
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: MOCVD-Technologie für die Realisierung der zukünftigen GaN-Roadmap
Laufzeit:
01.05.2019
- 31.10.2022
Förderkennzeichen: 16ESE0416
Koordinator: AIXTRON SE
Verbund:
Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Schweiz
Spanien
Italien
Norwegen
Slowakei
Schweden
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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