StartseiteFörderungProjekteVerbundprojekt: Tieftemperaturfähige Elektronik für zukünftiges Hochleistungsrechnen - ArCTIC -

Verbundprojekt: Tieftemperaturfähige Elektronik für zukünftiges Hochleistungsrechnen - ArCTIC -

Laufzeit: 01.06.2024 - 31.03.2027 Förderkennzeichen: 16MEE0380
Koordinator: Infineon Technologies AG - F OP RD FO

Infineon wird das Verhalten von Niederspannungs-MOSFET-Bauelementen und Lateral-Diffsion-MOSFETs (LDMOS) auf Bulk-Silizium bis hinunter zu einer Temperatur von 4 Kelvin untersuchen und dabei Gleichstrom- und Gleichspannungseigenschafen messen. Darüber hinaus wird auch das Bauelementerauschen charakterisieret und modelliert. Ferner werden Silizium-Germanium Bipolartransistoren (SiGe HBTs) von Infineons eigenen 130nm und 90nm BiCMOS-Technologien im Hinblick auf ihre Eigenschafen bei tiefen Temperaturen charakterisiert und entsprechende Modellierungen vorgenommen. Mit Blick auf die spätere Systemintegration werden des Weiteren vorhandene Packaging-Prozesse für Halbleiter-Bausteine hinsichtlich ihrer Eignung für Anwendungen unter Kryo-Bedingungen untersucht und weiterentwickelt.

Verbund: Tieftemperaturfähige Elektronik für zukünftiges Hochleistungsrechnen Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Österreich Belgien Kanada Schweiz Estland Finnland Frankreich Irland Niederlande Schweden Themen: Förderung Information u. Kommunikation

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