Im SiC-DCBreaker Projekt soll eine elektronische Lösung für einen festkörperbasierten Gleichstrom-Trennschalter entwickelt werden, wobei der potenziell niedrige Durchlasswiderstand von unipolaren SiC-Leistungshalbleiterschaltern bei dieser Anwendung ausgenutzt werden soll. Um den Erfolg des Projektes sicherzustellen sollen parallel zwei technologische Ansätze verfolgt werden. Zum einen sollen vertikale SiC-MOSFETs speziell für den Einsatz als DC-Trennschalter auf geringe Durchlassverluste hin optimiert werden. Zum anderen soll ein monolithisch integrierter Trennschalter auf Basis der SiC-JFET-Grundstruk-tur entwickelt werden. Diese Technologie soll anschließend in verschiedenen Systemapplikationen zum Einsatz kommen.
Cluster Leistungselektronik: Electronic Circuit Breaker based on SiC Technology for DC Networks (SiC-DCBreaker) – Teilvorhaben A
Laufzeit:
01.08.2018
- 31.07.2021
Förderkennzeichen: 03INT501BA
Koordinator: ECPE European Center for Power Electronics e. V.
Verbund:
SiC-DCBreaker - Electronic Circuit Breaker based on SiC Technology for DC Networks
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Japan
Themen:
Förderung
Innovation
Weitere Informationen
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