Projekte: Japan

Hier finden Sie eine Übersicht zu laufenden und abgeschlossenen Vorhaben der Projektförderung des BMBF mit Beteiligung Japans. Aufgeführt werden Vorhaben mit einer Laufzeit bis mindestens zum Jahr 2018. Die Projekte werden in chronologischer Reihenfolge angezeigt (neueste zuerst).
Hinweis: Die Liste enthält sowohl Einzelprojekte, als auch Verbundprojekte, die aus mehreren Teilprojekten bestehen. Die Teilprojekte eines Verbundprojektes sind miteinander verlinkt.

Sie können die Projekte nach Start- und Endjahren und nach Fachbereichen filtern. Eine Mehrfachauswahl von Fachbereichen führt dazu, dass durch die Filter Projekte für alle ausgewählten Fachbereiche angezeigt werden („oder“-Auswahl), sie ist nicht auf Kombinationen beschränkt („und“-Auswahl).

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Laufzeit: 01.08.2018 - 31.07.2021 Förderkennzeichen: 03INT501BB

Cluster Leistungselektronik: Electronic Circuit Breaker based on SiC Technology for DC Networks (SiC-DCBreaker) – Teilvorhaben B

Gleichstromnetze im Spannungsbereich von einigen hundert Volt gewinnen zunehmend an Bedeutung in unterschiedlichen Anwendungsbereichen, wie in der Elektromobilität (aktueller Trend zu einem Hochvolt-Bordnetz von 800 V), in DC-Netzen für Gebäude mit…

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Laufzeit: 01.08.2018 - 31.07.2021 Förderkennzeichen: 03INT501BC

Cluster Leistungselektronik: Electronic Circuit Breaker based on SiC Technology for DC Networks (SiC-DCBreaker) – Teilvorhaben C

Als Applikationsfelder für die elektronischen, SiC-basierten DC-Trennschalter wird die Anwendbarkeit in Gleichstromnetzen bis 850 Vdc für Automotive, Gebäudenetzen mit PV-Versorgung und Rechenzentren untersucht. Die neuartigen Lösungen müssen…

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Laufzeit: 01.08.2018 - 31.07.2021 Förderkennzeichen: 03INT501BD

Cluster Leistungselektronik: Electronic Circuit Breaker based on SiC Technology for DC Networks (SiC-DCBreaker) – Teilvorhaben D

Das Verbundprojekt SiC-DCBreaker hat sich zum Ziel gesetzt, einen vollelektronischen Trennschalter bis 850V zu entwickeln, der in elektrischen Fahrzeugen sowie auch in DC-Gebäudenetzen und dezentralen Batteriespeichersystemen eingesetzt werden kann.…

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Laufzeit: 01.08.2018 - 31.07.2021 Förderkennzeichen: 03INT501BE

Cluster Leistungselektronik: Electronic Circuit Breaker based on SiC Technology for DC Networks (SiC-DCBreaker) – Teilvorhaben E

Gleichstromnetze im Spannungsbereich von einigen hundert Volt gewinnen zunehmend an Bedeutung in unterschiedlichen Anwendungsbereichen. In der Elektromobilität liegt die Span¬nung des Hochvolt-Bordnetzes heute bei typischerweise 400-500 V, wobei…

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Laufzeit: 01.08.2018 - 31.07.2021 Förderkennzeichen: 03INT501BF

Cluster Leistungselektronik: Electronic Circuit Breaker based on SiC Technology for DC Networks (SiC-DCBreaker) – Teilvorhaben F

In vollelektrifizierten Fahrzeugen, in privaten Haushalte und in industriellen DC-Netzen werden zum Erreichen hoher Systemwirkungsrade derzeit Erzeuger und Verbraucher in leistungselektronikbasierten AC- und DC-Systemen kombiniert. Durch ausgeprägte…

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Laufzeit: 01.08.2018 - 31.07.2021 Förderkennzeichen: 03INT501BG

Cluster Leistungselektronik: Electronic Circuit Breaker based on SiC Technology for DC Networks (SiC-DCBreaker) – Teilvorhaben G

Basierend auf den erfolgreichen Arbeiten des BMBF-Projekts NEST-DC sollen die elektronischen Trenner (OCB-FET) weiterentwickelt und zu höheren Leistungen hin ausgebaut werden. Dazu werden zum einen die SiC-Schalter vom Projektpartner Infineon…

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Laufzeit: 01.08.2018 - 31.10.2021 Förderkennzeichen: 03INT501AA

Cluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben A

Das Ziel des vorgeschlagenen Projekts ist die Entwicklung hochtemperaturbeständiger Beschichtungssysteme für niederinduktive und hochintegrierte Wide-Band-Gap (WBG) Leistungshalbleitermodule. Neben der Verwendung eines geeigneten Isolationsmaterials…

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Laufzeit: 01.08.2018 - 31.07.2021 Förderkennzeichen: 03INT501AB

Cluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben B

Das Beschichtungssystem wird für die speziellen Anforderungen von WBG-Halbleitermodulen optimiert. Es werden neuartige Isolationsmaterialien aus der Gruppe der Parylene eingesetzt. Die verwendeten Materialien besitzen eine hohe Temperaturstabilität,…

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Laufzeit: 01.08.2018 - 31.07.2021 Förderkennzeichen: 03INT501AC

Cluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben C

Die Entwicklung hochtemperaturbeständiger Beschichtungssysteme für niederinduktive hochintegrierte Wide-Band-Gap Liestungshalbleitermodule erfordert dafür optimierte keramische Substrate. Die Anforderungen für diese Substrate sollen im Rahmen dieses…

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Projektträger