Projekte: Österreich
Hier finden Sie eine Übersicht zu laufenden und abgeschlossenen Vorhaben der Projektförderung des BMBF mit Beteiligung Österreichs. Aufgeführt werden Vorhaben mit einer Laufzeit bis mindestens zum Jahr 2018. Die Projekte werden in chronologischer Reihenfolge angezeigt (neueste zuerst).
Hinweis: Die Liste enthält sowohl Einzelprojekte, als auch Verbundprojekte, die aus mehreren Teilprojekten bestehen. Die Teilprojekte eines Verbundprojektes sind miteinander verlinkt.
Sie können die Projekte nach Start- und Endjahren und nach Fachbereichen filtern. Eine Mehrfachauswahl von Fachbereichen führt dazu, dass durch die Filter Projekte für alle ausgewählten Fachbereiche angezeigt werden („oder“-Auswahl), sie ist nicht auf Kombinationen beschränkt („und“-Auswahl).
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Das FBH erforscht und entwickelt im Projekt YESvGaN vertikal orientierte Gallium Nitrid FinFETs auf unterschiedlichen Trägersubstraten. Die vertikalen FinFETs kommen in der Epitaxiestruktur ohne pn-Übergang aus und bestehen aus einer Vielzahl von…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Um den aktuell von Si-IGBTs dominierten Bereich für WBG Leistungstransistoren zu erschließen und deren herausragendes Potential nutzbar zu machen, wird YESvGaN einen neuen Transistortyp entwickeln, der die Vorteile niedriger Substratkosten mit den…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Ziel von YESvGaN ist die Entwicklung hoch effizienter, kostengünstiger vertikaler Leistungstransistoren auf Basis des Wide Band Gap (WBG) Halbleiters Gallium Nitrid für Spannungsklassen bis 1200 V und Ströme bis 100 A. In diesem Segment mit di-versen…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Ziel des Projektes ist die Entwicklung einer Prozesstechnologie für die Herstellung von GaN-basierten vertikalen Leistungstransistoren in einer massenproduktionstauglichen CMOS-Linie auf 200 mm Wafern. Die X-FAB Dresden GmbH wird sich mit neu zu…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Ziel des Projektes ist die Entwicklung einer Prozesstechnologie für die Herstellung von GaN-basierten vertikalen Membran-Leistungstransistoren in einer massenproduktionstauglichen Fertigungslinie auf 200 mm Wafern. Die X-FAB Global Service GmbH wird…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Die NanoWired GmbH hat mit dem NanoWirng Prozess mehrere leistungsfähigke Aufbau- und Verbidnungsverfahren entwickelt, das KlettWelding, das KlettGlueing sowie das KlettSintering. Die Leistungsfähigen Verfahren versprechen, das Potential der…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Ziel von YESvGaN ist die Entwicklung hoch effizienter, kostengünstiger vertikaler Leistungstransistoren auf Basis des Wide Band Gap (WBG) Halbleiters Gallium Nitrid (GaN) für Spannungsklassen bis 1200 V und Ströme bis 100 A. In diesem Segment mit…
I-PREGNO - Prävention von ungesunder Gewichtszunahme in Familien vor und nach der Geburt mit Hilfe einer mHealth-enhanced Intervention - Teilprojekt Erfassung Bedarf der Zielgruppe
Das Vorhaben ist Teil des europäischen Verbundprojkets iPREGNO, das im Rahmen der JPI HDHL gefördert wird. Das übergeordnete Ziel unseres Forschungsvorhabens ist die Entwicklung einer mobilen Applikation (App) für die Prävention von Übergewicht und…
Verbundprojekt: Vertrauenswürdige europäische SiC-Lieferkette für energieeffiziente Leistungselektronik - TRANSFORM -
Das übergeordnete Ziel von TRANSFORM ist der Aufbau einer vollständigen und äußerst wettbewerbsfähigen europäischen Lieferkette für Leistungselektronik auf Basis von Siliziumkarbid (SiC)-Leistungshalbleitern. Der Anwendungsbereich und der Bedarf sind…
