FASTLANE beschleunigt die Einführung von SiC-basierter Leistungselektronik durch wettbewerbsfähige technologische Exzellenz in einer durchgehend europäischen Wertschöpfungskette, um so neue intelligente Halbleiterelemente, Leistungsmodule und Leistungswandler zu ermöglichen. Das Projekt wird die Anwendungsmöglichkeiten von SiC-basierter Leistungselektronik erweitern: Der Schwerpunkt liegt auf der Erforschung und Entwicklung neuartiger SiC-Halbleiter und deren Anwendung. Die entwickelten Leistungsmodule werden in Bezug auf Effizienz, Leistung, Robustheit und Nachhaltigkeit signifikante Vorteile im Vergleich zu aktuellen Modellen aufweisen. Die Neuentwicklungen werden zu einer allgemeinen Kostensenkung und zu einem kleineren ökologischen Fußabdruck (Erhöhung der Lebensdauer, Verringerung des CO2-Ausstoßes, Verringerung des Wasserverbrauchs) führen. Die Infineon Technologies AG forscht im Projekt schwerpunktmäßig an einer nächsten Generation intelligenter SiC-MOSFET-Bauelementen, mit der Integration fortschrittlicher In-Die-Sensoren mit stark erhöhter Ausbeute auf Bauelementebene, verbesserten elektrischen und thermischen Eigenschaften, zusammen mit speziellen Prozessen und Anlagen, Test- und Charakterisierungsmethoden und -Werkzeugen.
Verbundprojekt: Europäisches Ökosystem für nachhaltige Silizium-Carbid-Leistungselektronik - FastLane -
Laufzeit:
01.06.2024
- 30.04.2027
Förderkennzeichen: 16MEE0409
Koordinator: Infineon Technologies AG
Verbund:
Europäisches Ökosystem für nachhaltige Silizium-Carbid-Leistungselektronik
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Frankreich
Italien
Litauen
Rumänien
Slowakei
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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