Projekte: Slowakei
Hier finden Sie eine Übersicht zu laufenden und abgeschlossenen Vorhaben der Projektförderung des BMBF mit Beteiligung der Slowakei. Aufgeführt werden Vorhaben mit einer Laufzeit bis mindestens zum Jahr 2018. Die Projekte werden in chronologischer Reihenfolge angezeigt (neueste zuerst).
Hinweis: Die Liste enthält sowohl Einzelprojekte, als auch Verbundprojekte, die aus mehreren Teilprojekten bestehen. Die Teilprojekte eines Verbundprojektes sind miteinander verlinkt.
Sie können die Projekte nach Start- und Endjahren und nach Fachbereichen filtern. Eine Mehrfachauswahl von Fachbereichen führt dazu, dass durch die Filter Projekte für alle ausgewählten Fachbereiche angezeigt werden („oder“-Auswahl), sie ist nicht auf Kombinationen beschränkt („und“-Auswahl).
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Identifizierung von Degradations- und Ausfallmechanismen und Optimierung neuartiger nitridbasierter Leistungselektronikgeräte durch…
Das Hauptziel von UltimateGaN ist es, die führende Position Europas bei Leistungshalbleitern und Hochleistungs-HF-Anwendungen zu sichern, indem mit der nächsten Generation von GaN-Technologien ein innovativer Durchbruch erzielt wird. Die…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Materialcharakterisierung und innovative Fehlerdiagnostik für hocheffiziente GaN basierte Hochfrequenz- und…
Im ECSEL-Vorhaben UltimateGaN arbeiten 7 deutsche und europaweit 21 Partner zusammen, um gemeinsam die Voraussetzungen für eine neue Generation Leistungshalbleiter zu schaffen. Zielstellungen der deutschen Partner adressieren dabei vor allem neue…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Entwicklung einer mm-Wellen "GaN auf Si"-Technologie
Im Vorhaben "Ultimate GaN" verfolgt das Fraunhofer IAF in enger Zusammenarbeit mit dem Konsortüm im Rahmen des EU-Projekts das Ziel, eine GaN-basierte Technologie und -Bauelemente auf Silizium Substraten für hohe Frequenzen > 28 GHz zu entwickeln.…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Zuverlässigkeitsbewertung und Lebensdauermodellierung von GaN-basierten Leistungsbauelementen
Das Ziel von UltimateGaN liegt in der Erforschung und Entwicklung neuer, auf Galliumnitrid (GaN) basierter, Prozess- und Bauelementtechnologien für die Leistungselektronik. Der Fokus soll hierbei sowohl auf vertikale als auch auf laterale…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Entwicklung eines vertikalen GaN auf GaN MOSFETs mit dicker Driftlage
Die Forschungen erfolgen im Rahmen des europäischen Partnerverbundes UltimateGaN. Parallel zu den Arbeiten an großflächigen GaN auf Si- und Polyaluminiumnitrid-Substraten der Verbundpartner werden in diesem Teilvorhaben vertikale GaN MOSFET…
Weiterentwicklung erster fachlicher Ansätze für ein staatenübergreifendes Monitoring für die quantitative und qualitative Erfassung von Plastik in Flusssystemen und zur Vorbereitung eines europäischen Förderantrags.
PLAID soll die Beantragung eines umfangreichen EU-Projektes vorbereiten, das auf den in diesem Projekt erarbeiteten, ersten fachlichen Ansätzen für ein staatenübergreifendes Monitoring für die quantitative und qualitative Erfassung von Plastik in…
Forschungspartnerschaft mit Tschechien und der Slowakei zum Themengebiet Energie 4.0
Das Ziel dieses Vorhabens ist eine langfristige Partnerschaft mit den im Themengebiet Energie 4.0 führenden Forschungspartnern der Tschechischen Republik und der Slowakischen Republik. Alle bereits gewonnenen Projektpartner verstehen sich als…
Verbundprojekt: Erste Pilotlinie für die kostengünstige Fertigung von Leistungselektronik der nächsten Generation - REACTION -; Teilvorhaben: Entwicklung, Produktion und Evaluierung von zwei Prototypen zur Hochtemperatur Aktivierung und Oxidation von…
Im Rahmen des ECSEL-Vorhabens REACTION entwickelt die centrotherm international AG zwei Hochtemperaturöfen für die weltweit erste 200 mm SiC-Pilotlinie. Diese sollen jeweils für das Annealing der SiC-Wafer als auch für die Oxidation der Gates…
Verbundprojekt: Erste Pilotlinie für die kostengünstige Fertigung von Leistungselektronik der nächsten Generation - REACTION -; Teilvorhaben: Dünnen und Sägen von 8" SiC Wafern
REACTION hat das Ziel mit die erste weltweite 200mm Silicon Carbide (SiC) Pilot Line Facility für Power Technologie aufzusetzen. Dies wird es der europäischen Industrie ermöglichen, neue und wettbewerbsfähige Lösungen für gesellschaftlich relevante…
