Im beantragten Projekt sollen nanoelektromechanische und nanoelektronische Sensoren (MEMS/NEMS) auf Basis des neuen Materials Graphen in freitragender Form erforscht werden. Die zentrale Innovation ist die zu erwartende dramatisch höhere Empfindlichkeit und Robustheit von Mikrofonen, Druck– und Magnetfeldsensoren auf der Basis von Graphen-Membranen, was zu einem signifikanten Vorsprung gegenüber dem Stand der Technik führt. Die signifikanten Vorteile von Graphen gegenüber herkömmlichen Materialien für neuartige NEMS Bauteile wie Drucksensoren, Mikrofone und Hall-Sensoren, sollen zukünftig vorteilhaft eingesetzt und im Projekt NanoGraM erforscht werden. Die technischen-wissenschaftlichen Ziele sind die prinzipielle Demonstration der Machbarkeit und Evaluation der Vorteile von freitragendem Graphen als Werkstoff, die Erforschung und Realisierung von Methoden zur Charakterisierung von freitragenden Graphen-Membranen (Stress, Topographie), die Erforschung und Realisierung von Methoden zur Integration von Graphen-Membranen in nanoelektronische Bauteile (Transfer, direkte Abscheidung) und der Aufbau von Demonstratoren. Infineon ist an allen Arbeitspaketen beteiligt und leitet als Koordinator AP 1 (Management), AP 5 (Elektrostatische NEMS) und AP6 (Freitragende Hall-Sensoren).
Nanoelektronische Bauteile mit Graphen-Membranen (NanoGraM)
Laufzeit:
01.05.2015
- 30.04.2018
Förderkennzeichen: 03XP0006A
Koordinator: Infineon Technologies AG
Verbund:
M-ERANET NanoGram
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Spanien
Themen:
Förderung
Physik. u. chem. Techn.