Projekte: Frankreich
Hier finden Sie eine Übersicht zu laufenden und abgeschlossenen Vorhaben der Projektförderung des BMBF mit Beteiligung Frankreichs. Aufgeführt werden Vorhaben mit einer Laufzeit bis mindestens zum Jahr 2018. Die Projekte werden in chronologischer Reihenfolge angezeigt (neueste zuerst).
Hinweis: Die Liste enthält sowohl Einzelprojekte, als auch Verbundprojekte, die aus mehreren Teilprojekten bestehen. Die Teilprojekte eines Verbundprojektes sind miteinander verlinkt.
Sie können die Projekte nach Start- und Endjahren und nach Fachbereichen filtern. Eine Mehrfachauswahl von Fachbereichen führt dazu, dass durch die Filter Projekte für alle ausgewählten Fachbereiche angezeigt werden („oder“-Auswahl), sie ist nicht auf Kombinationen beschränkt („und“-Auswahl).
Verbundprojekt: Modulare, intelligente und hochintegrierte Wide-Bandgap-Leistungselektronik für sicheres und energieeffizientes elektrisches Fahren – HiEFFICIENT -
Die AVL SFR beteiligt sich im Rahmen dieses Teilvorhabens an mehrere Use Cases des Hiefficient Projektes: UseCase1: AVL-SFR wird diesen Use Case insbesondere mit automotive spezifischer Anwendungserfahrung und Bewertungen der entwickelten Komponenten…
Verbundprojekt: Modulare, intelligente und hochintegrierte Wide-Bandgap-Leistungselektronik für sicheres und energieeffizientes elektrisches Fahren – HiEFFICIENT -
Die wissenschaftlichen Ziele des Teilvorhabens der RWTH Aachen University sind die Erforschung von Verfahren zur elektrothermischen Zustandsüberwachung, Alterungsdiagnose, Leistungssteigerung und Lebensdauererhöhung von leistungselektronischen…
Verbundprojekt: Modulare, intelligente und hochintegrierte Wide-Bandgap-Leistungselektronik für sicheres und energieeffizientes elektrisches Fahren – HiEFFICIENT -
Das Teilvorhaben ist eingebettet in das EU-geförderte ECSEL-Projekt HiEFFICIENT (Highly EFFICIENT and reliable electric drivetrains based on modular, intelligent and highly integrated wide band gap power electronics modules) unter Beteiligung von…
Verbundprojekt: Modulare, intelligente und hochintegrierte Wide-Bandgap-Leistungselektronik für sicheres und energieeffizientes elektrisches Fahren – HiEFFICIENT -
AVL-SET wird an der Testmethode für Leistungselektronik (PE-power electronic) -Lebensdauerprüfungen mit einem Mehrkanal-E-Motor-Emulator arbeiten. Die PE-Testmethode umfasst die Identifizierung signifikanter Fehlermodi und Erkennungs-möglichkeiten…
Verbundprojekt: Modulare, intelligente und hochintegrierte Wide-Bandgap-Leistungselektronik für sicheres und energieeffizientes elektrisches Fahren – HiEFFICIENT -
Das Ziel von HiEFFICIENT liegt in der Erforschung und Entwicklung zuverlässiger, hoch-integrierter Wide-bandgap (WBG) Technologien für leistungselektronische Bauelemente und Systeme für den Einsatz in Elektrofahrzeugen, Testsystemen und…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
YESvGaN entwickelt hocheffiziente, neuartige Galliumnitrid-basierte vertikale Leistungstransistoren (sog. Membrantransistoren) zu vergleichbaren Kosten wie aktuelle Silizium IGBTs. Dadurch werden neue preissensitive Anwendungen für Wide-Band-Gap…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Das Hauptziel von YESvGaN ist die Erforschung innovativer, vertikaler Galliumnitrid (GaN)-Leistungstransistoren, die auf einem kostengünstigen Substrat wie Silizium hergestellt werden. Diese sogenannte vertikale Membranarchitektur kombiniert die…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Das FBH erforscht und entwickelt im Projekt YESvGaN vertikal orientierte Gallium Nitrid FinFETs auf unterschiedlichen Trägersubstraten. Die vertikalen FinFETs kommen in der Epitaxiestruktur ohne pn-Übergang aus und bestehen aus einer Vielzahl von…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Um den aktuell von Si-IGBTs dominierten Bereich für WBG Leistungstransistoren zu erschließen und deren herausragendes Potential nutzbar zu machen, wird YESvGaN einen neuen Transistortyp entwickeln, der die Vorteile niedriger Substratkosten mit den…
