Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: GaN auf Silizium - Gehäusetechnik macht den Unterschied

Leistungshalbleiter sind herausragende Schlüsselkomponenten der Europäischen Wirtschaft, z.B. Automobilindustrie ("eMobility") und Energieeffizienz. Das ECSEL-Vorhaben PowerBase vereint europaweit 40 Partner aus 9 Ländern, um gemeinsam Wettbewerbsvorsprung für Leistungshalbleiter zu erarbeiten. Die deutschen Partner adressieren 300mm Silizium-Basismaterialien, neue GaN/Si Leistungshalbleiter, dazugehörige Gehäusetechnologien, und deren Demonstration in verschiedenen Anwendungen. Ziel von Infineon ist die Erarbeitung einer Pilotlinie zum "Chip Embedding" von GaN/Si-Leistungshalbleitern. Erst dadurch können die Eigenschaften von GaN/Si voll ausgenutzt werden. Infineon Regensburg soll dadurch eine weltweit führende Position erlangen. Das Projekt ist in vier Phasen mit acht Infineon Teilaufgaben (TA) aufgebaut. Nach der Spezifikationsphase werden in der zweiten Phase verschiedene Gehäusetechnologien wie z.B. eWLB- und Blade-Modifikationen für GaN/Si erforscht und bewertet. Nach einer Entscheidung für ein GaN/Si Gehäusetechnologiekonzept werden in der dritten Phase Technologieprozesse, Produktivitäts- und Ausbeuteverbesserung, Automatisierung und Zuverlässigkeit am Standort Regensburg erforscht und entwickelt. Die Arbeiten zum Aufbau der Pilotlinie werden durch Fehleranalyse, Simulation, Modellierung und Entwurfsmethodik am Standort München unterstützt. In der abschließenden Phase wird das Potential der erarbeiteten Chip Embedding Pilotlinie durch anwendungsnahe Testaufbauten gezeigt.