Verbundprojekt: Leistungselektronik der nächsten Generation für CO2-Einsparungen in Verkehr und Industrie – GaNext -; Teilvorhaben: SOI basierende Gate-Treiber Schaltkreise für smart Leistungsmodule der nächsten Generation für CO2-Einsparungen in Verkehr und Industrie

Ziel des geplanten Projekts GaNext ist es, die Hemmnisse für die Einführung von GaN-Bauelementen zu beseitigen und die höhere Effizienz und Kompaktheit von GaN-basierten Systemen im Bereich von Energiewandelsystemen vollständig nachzuweisen. Das Herzstück des Projekts ist die Entwicklung eines auf GaN basierenden intelligenten Leistungsmoduls (IPM), bei dem der Treiber, die Spannungs-steuerung und die Schutzschaltungen mit dem Leistungsteil kombiniert werden. Der Fokus von Infineon liegt in seinem Teilvorhaben dabei auf der Erforschung neuartiger C5SOI level shifter Gate-Treiber Schaltkreis sowie an der Entwicklung fortschrittlicher Metallisierungsprozess welchen die Integration in das zukünftige Leistungsmodul ermöglicht. Diese Arbeit ermöglicht eine Designverkleinerung, eine Erhöhung der Funktionalität, eine Verbesserung der Zuverlässigkeit und eine reibungslose Integration mit verbesserter Robustheit des Gate-Treibers.