Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben:Sintern und Hochtemperaturverbindungstechniken

Leistungshalbleiter sind eine wesentliche Voraussetzung für die Innovationskraft der Industrie, und somit Basis für wirtschaftliches Wachstum und nachhaltige Arbeitsplätze in Deutschland und Europa: als Beispiele seien die weltweit erfolgreichen Industriesparten Industrieausrüstung und Automobilbau genannt. Leistungshalbleiter ermöglichen heute energieeffiziente Stromversorgungen und Antriebsregelungen – um hier weitere Fortschritte zu erzielen, müssen Leistungshalbleitertechnologien stetig verbessert werden. Das ECSEL-Vorhaben POWERBASE vereint europaweit 40 Partner, um gemeinsam die Voraussetzungen für anspruchvollste Leistungshalbleiter, gefertigt Europa, zu schaffen. Die deutschen Partner adressieren dabei vor allem a) neue Leistungshalbleitertechnologien auf Basis neuartiger 300 mm Silizium-Basismaterialien, b) neue Galliumnitrid- Leistungshalbleitertechnologien und die dazugehörige Gehäusetechnologie, c) neue Methoden für die Hochautomatisierung von Leistungshalbleiterfertigungen und d) Demonstration der systematischen Vorteile der neuartigen Leistungshalbleiter in verschiedenen Anwendungen. Anwendungsfelder wie z.B. Automobilelektronik und Solar benötigen Leistungsmodule mit einer hohen thermischen Stabilität. Derzeit sind Silizium Chips mit Lotkontakten oder Lotdrähten elektronisch verbunden. In diesem Teil des Projektes werden Hochtemperaturverbindungstechniken untersucht. Von besonderem Interesse ist die "Unter Bump Metallisierung" basierend auf stromlos abgeschiedenem Nickel und Silber. Weil Silber erst bei 900°C schmilzt, wird es für diese Anwendung herangezogen.