Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications – PowerBase -; Teilvorhaben: Materialdiagnostik und Defektanalytik prozessierter GaN- und Si-Leistungsbauelemente

Als Schlüsseltechnologie für Energieeffizienz sind Leistungshalbleiter eine wesentliche Voraussetzung für die Innovationskraft der Industrie, Basis für wirtschaftliches Wachstum und nachhaltige Arbeitsplätze in Deutschland sowie in Europa. Das ECSEL-Vorhaben POWERBASE vereint 13 deutsche und europaweit 40 Partner, um gemeinsam Voraussetzungen für neue hocheffiziente Leistungshalbleiter zu schaffen. Die deutschen Partner adressieren dabei vor allem Leistungshalbleiter¬technologien auf Basis neuartiger 300 mm Silizium-Basismaterialien, neue Galliumnitrid- Leistungshalbleiter und die dazugehörige Gehäusetechnologien, neue Methoden für die Hochautomatisierung von Leistungshalbleiterfertigungen und Demonstration der systematischen Vorteile innovativer Leistungshalbleiter in verschiedenen Anwendungen. Über das BMBF-Teilvorhaben EnPower ist die Fraunhofer-Gesellschaft mit den Einrichtungen IWMH, EMFT und THM in das ECSEL-Projekt eingebunden. Fraunhofer IWMH arbeitet an der Entwicklung von GaN- basierten Technologien durch Materialdiagnostik, Fehleranalytik und Modellierung auf Substrat-, Halbleiter- und Bauelementeebene mit. Das THM unterstützt die Technologieentwicklungen zur Herstellung von neuartigen 300 mm Silizium-Basismaterialien durch prozessbegleitende Charakterisierungen und erforscht die Defektentstehung in dem neuen Basismaterial. Die EMFT wird hochohmige Siliziumsubstrate sowie Bauteile auf hochohmigen Substraten bis 300 mm detailiert auf Defekte analysieren.