Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Silizium-Leistungshalbleiter der nächsten Generation auf Basis von 300mm Wafern

Leistungshalbleiter sind eine wesentliche Voraussetzung für die Innovationskraft der Industrie, und somit Basis für wirtschaftliches Wachstum und nachhaltige Arbeitsplätze in Deutschland und Europa: als Beispiele seien die weltweit erfolgreichen Industriesparten Industrieausrüstung und Automobilbau genannt. Leistungshalbleiter ermöglichen heute energieeffiziente Stromversorgungen und Antriebsregelungen – um hier weitere Fortschritte zu erzielen, müssen Leistungshalbleitertechnologien stetig verbessert werden. Das ECSEL-Vorhaben POWERBASE vereint europaweit 40 Partner, um gemeinsam die Voraussetzungen für anspruchvollste Leistungshalbleiter, gefertigt Europa, zu schaffen. Die deutschen Partner adressieren dabei vor allem a) neue Leistungshalbleitertechnologien auf Basis neuartiger 300 mm Silizium-Basismaterialien, b) neue Galliumnitrid- Leistungshalbleitertechnologien und die dazugehörige Gehäusetechnologie, c) neue Methoden für die Hochautomatisierung von Leistungshalbleiterfertigungen und d) Demonstration der systematischen Vorteile der neuartigen Leistungshalbleiter in verschiedenen Anwendungen. Infineon Technologies Dresden wird die geplanten Arbeiten in Zusammenarbeit mit den europäischen Partnern durchführen – besondere Bedeutung hat dabei die Zusammenarbeit mit sächsischen Partnern, wodurch innerhalb des Vorhabens ein Cluster ausgebildet wird. Die aufeinander aufbauenden Arbeitspakete gliedern sich auf in Forschungsarbeiten und Entwicklungsarbeiten.