Leistungshalbleiter sind eine wesentliche Voraussetzung für die Innovationskraft der Industrie, und somit Basis für wirtschaftliches Wachstum und nachhaltige Arbeitsplätze in Deutschland und Europa: als Beispiele seien die weltweit erfolgreichen Industriesparten Industrieausrüstung und Automobilbau genannt. Leistungshalbleiter ermöglichen heute energieeffiziente Stromversorgungen und Antriebsregelungen – um hier weitere Fortschritte zu erzielen, müssen Leistungshalbleitertechnologien stetig verbessert werden. Das ECSEL-Vorhaben POWERBASE vereint europaweit 40 Partner, um gemeinsam die Voraussetzungen für anspruchsvollste Leistungshalbleiter, gefertigt in Europa, zu schaffen. Im Rahmen des ECSEL-Vorhabens POWERBASE wird NanoFocus wesentliche, für die im POWERBASE Vorhaben geplante GaN Packaging Pilotlinie kritische, Prozessparameter identifizieren, die notwendigen physikalischen und systemtechnischen Voraussetzungen und Eigenschaften für deren schnelle und zuverlässige In-Line Erfassung untersuchen und feststellen und die notwendige Technologie für deren Überwachung in prozessrelevanter Geschwindigkeit erarbeiten und umsetzen. Die auf diese Weise realisierbaren schnellen Feedback-Loops ermöglichen eine hoch effiziente Steuerung von Produktionsprozessen und tragen so wesentlich zur Gewährleistung einer international wettbewerbsfähigen Produktionslinie von Leistungshalbleitern bei. Die NanoFocus AG plant im Projekt POWERBASE insgesamt 87 Personenmonate in insgesamt 22 individuellen Arbeitspaketen aufzuwenden. NanoFocus AG plant die Arbeiten in WP5 des POWERBASE Vorhabens durchzuführen und eng mit den Bedürfnissen von Infineon Regensburg (WP5 Leader) abzustimmen. Die NanoFocus Arbeitspakete lassen sich in die Phasen Definition, Grundlagenuntersuchung, Implementierung, Umsetzung und Nachweis unterteilen und erstecken sich über die gesamte 36-Monatige Laufzeit des POWERBASE Vorhabens.
Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Untersuchung und Definition der Yield Detractors für eine Europäische GaN Packaging Pilotlinie
Laufzeit:
01.05.2015
- 30.06.2018
Förderkennzeichen: 16ESE0002
Koordinator: NanoFocus AG
Verbund:
Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Spanien
Vereinigtes Königreich (Großbritannien)
Italien
Niederlande
Norwegen
Slowakei
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
Weitere Teilprojekte des Verbundes
- Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: GaN auf Silizium - Gehäusetechnik macht den Unterschied
- Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Absicherung, Optimierung und Überwachung von Transportprozessen bei der Fertigung von Leistungshalbleitern
- Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Silizium-Leistungshalbleiter der nächsten Generation auf Basis von 300mm Wafern
- Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Entwicklung der Skalierbarkeit von SI-GaN Kristallen für horizontale Leistungsbauelemente (SI-GaN)
- Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications – PowerBase -; Teilvorhaben: Materialdiagnostik und Defektanalytik prozessierter GaN- und Si-Leistungsbauelemente
- Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Identifizierung und Strategien zur Passivierung effizienzlimitierender Defekte in GaN-basierter Leistungselektronik durch ab initio Simulationen
- Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications – PowerBase -; Teilvorhaben: Handling und Bestückung für die GaN-Packaging-Pilotline
- Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben:Sintern und Hochtemperaturverbindungstechniken
- Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Kompakte Leistungshalbleiter für Automatisierungssysteme
- Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Siliciumwafer mit 300 mm Durchmesser und extremen Materialeigenschaften für Leistungsbauelemente
- Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: GaN-Substratentwicklung für horizontale Leistungsbauelemente - HorGaN
- Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Entwicklungsbegleitende Untersuchungen von extrem dotierten 300 mm Siliciumeinkristallen