StartseiteLänderEuropaNorwegenVerbundprojekt: Hochzuverlässige Elektroniksysteme und Architekturen für das autonome und elektrische Fahren - AutoDrive -; Teilvorhaben: Erforschung von Gatetreibern für parallelgeschalte SiC-MOSFETs in Leistungsmodulen

Verbundprojekt: Hochzuverlässige Elektroniksysteme und Architekturen für das autonome und elektrische Fahren - AutoDrive -; Teilvorhaben: Erforschung von Gatetreibern für parallelgeschalte SiC-MOSFETs in Leistungsmodulen

Laufzeit: 01.06.2017 - 30.06.2020 Förderkennzeichen: 16ESE0257
Koordinator: Technische Universität Dortmund - Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik - Lehrstuhl für Energiewandlung

Das Ziel von AutoDrive ist die Entwicklung von fehlererkennenden, versagenssicheren und fehlertoleranten elektrischen und elektronischen Komponenten, Architekturen sowie der zugehörigen integrierten Software, um hoch- und vollautomatisiertes Fahren zu ermöglichen. Dabei sollen insbesondere die Erfahrungen aus der Luftfahrt genutzt werden, um die Sicherheit und Verfügbarkeit der elektronischen Komponenten und Systeme signifikant zu steigern. Die in AutoDrive angestrebten Entwicklungen setzten dabei auf die frühzeitige Interaktion mit den Anwendern sowie Behörden und Gremien, um die Akzeptanz des automatisierten Fahrens weiter zu steigern. AutoDrive trägt entscheidend dazu bei, der deutschen und europäischen Vision von "zero accidents" und "zero emissions" näher zu kommen. Dafür wird der Lehrstuhl für Energiewandlung der TU Dortmund Gatetreiber erforschen, die sich besonders für schnellschaltende SiC-MOSFETs in Leistungsmodulen eignen. Ein Schwerpunkt liegt dabei auf einer guten Skalierbarkeit auch bei parallelgeschalteten Leistungshalbleitern. Die Forschungsaktivitäten der AutoDrive Partner werden entsprechend der eingeführten Struktur in SupplyChains und Arbeitspakete gegliedert. Innerhalb der SupplyChains werden Themengebiete gebündelt, um Synergien auf Anforderungs- und Arbeitsebene zwischen OEMs, System- und Komponentenlieferanten sowie Forschungseinrichtungen optimal zu nutzen. Die entsprechend abgeleiteten partnerspezifischen Forschungsarbeiten werden, einem V-Modell Ansatz folgend, im Rahmen der Arbeitspakete durchgeführt. Die am Lehrstuhl für Energiewandlung der TU Dortmund erforschten Gatetreiber werden durch Simulationen konzipiert, als Labormuster aufgebaut und messtechnisch auch im Leistungsmodul genau charakterisiert. Anhand der experimentellen Ergebnisse werden weitere Verbesserungen vorgenommen und anschließend überprüft.

Verbund: Hochzuverlässige Elektroniksysteme und Architekturen für das autonome und elektrische Fahren Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Österreich Belgien Tschechische Republik Spanien Finnland Italien Litauen Lettland Niederlande Norwegen Schweden Themen: Förderung Information u. Kommunikation

Weitere Informationen

Weitere Teilprojekte des Verbundes

Projektträger