Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: MOCVD-Technologie für die Realisierung der zukünftigen GaN-Roadmap

Ziel dieses Projektes ist die Entwicklung einer Technologie zur Realisierung von Bauteilen der nächsten Generation von GaN basierenden Bauelementen für die Mikrowellen- und Leistungselektronik. Das übergeordnete Ziel des UltimateGaN-Projekts ist: Sicherung der führenden Position Europas bei Leistungshalbleitern durch die Förderung der Innovation bei den entscheidenden nächsten Generationen von GaN-Technologien sowie Ermöglichung erstklassiger Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit mit den neuesten GaN auf Si-Technologien. Ermöglichung des aufstrebenden Marktes für 5G-RF- und High-End-Leistungsanwendungen "made in Europe" durch frühestmöglichen Zugang zu den neuesten Technologien durch gemeinsame Forschung und Innovationen.