Projekte: Schweden
Hier finden Sie eine Übersicht zu laufenden und abgeschlossenen Vorhaben der Projektförderung des BMBF mit Beteiligung Schwedens. Aufgeführt werden Vorhaben mit einer Laufzeit bis mindestens zum Jahr 2018. Die Projekte werden in chronologischer Reihenfolge angezeigt (neueste zuerst).
Hinweis: Die Liste enthält sowohl Einzelprojekte, als auch Verbundprojekte, die aus mehreren Teilprojekten bestehen. Die Teilprojekte eines Verbundprojektes sind miteinander verlinkt.
Sie können die Projekte nach Start- und Endjahren und nach Fachbereichen filtern. Eine Mehrfachauswahl von Fachbereichen führt dazu, dass durch die Filter Projekte für alle ausgewählten Fachbereiche angezeigt werden („oder“-Auswahl), sie ist nicht auf Kombinationen beschränkt („und“-Auswahl).
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Erforschung von GaN/Si Leistungsbauelementen und der dazugehörigen, zuverlässigen Aufbau- und Verbindungstechnologien
Die Infineon Technologies AG ist stark in die Erreichung der Hauptziele des EU-Projekts UltimateGaN eingebunden. So soll die führende Position Europas in Bezug auf Leistungshalbleiter und Hochleistungs-HF-Anwendungen gesichert werden, indem mit der…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: MOCVD-Technologie für die Realisierung der zukünftigen GaN-Roadmap
Ziel dieses Projektes ist die Entwicklung einer Technologie zur Realisierung von Bauteilen der nächsten Generation von GaN basierenden Bauelementen für die Mikrowellen- und Leistungselektronik. Das übergeordnete Ziel des UltimateGaN-Projekts ist:…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: RF GaN Substrat Wafer
Das ECSEL-Vorhaben UltimateGaN vereint europaweit 26 Partner aus 9 Ländern, um gemeinsam die Voraussetzungen für anspruchsvollste Galliumnitrid auf Silizium basierter RF- und Leistungshalbleiter, gefertigt in Europa, zu schaffen. Hauptziele von…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Identifizierung von Degradations- und Ausfallmechanismen und Optimierung neuartiger nitridbasierter Leistungselektronikgeräte durch…
Das Hauptziel von UltimateGaN ist es, die führende Position Europas bei Leistungshalbleitern und Hochleistungs-HF-Anwendungen zu sichern, indem mit der nächsten Generation von GaN-Technologien ein innovativer Durchbruch erzielt wird. Die…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Materialcharakterisierung und innovative Fehlerdiagnostik für hocheffiziente GaN basierte Hochfrequenz- und…
Im ECSEL-Vorhaben UltimateGaN arbeiten 7 deutsche und europaweit 21 Partner zusammen, um gemeinsam die Voraussetzungen für eine neue Generation Leistungshalbleiter zu schaffen. Zielstellungen der deutschen Partner adressieren dabei vor allem neue…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Entwicklung einer mm-Wellen "GaN auf Si"-Technologie
Im Vorhaben "Ultimate GaN" verfolgt das Fraunhofer IAF in enger Zusammenarbeit mit dem Konsortüm im Rahmen des EU-Projekts das Ziel, eine GaN-basierte Technologie und -Bauelemente auf Silizium Substraten für hohe Frequenzen > 28 GHz zu entwickeln.…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Zuverlässigkeitsbewertung und Lebensdauermodellierung von GaN-basierten Leistungsbauelementen
Das Ziel von UltimateGaN liegt in der Erforschung und Entwicklung neuer, auf Galliumnitrid (GaN) basierter, Prozess- und Bauelementtechnologien für die Leistungselektronik. Der Fokus soll hierbei sowohl auf vertikale als auch auf laterale…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Entwicklung eines vertikalen GaN auf GaN MOSFETs mit dicker Driftlage
Die Forschungen erfolgen im Rahmen des europäischen Partnerverbundes UltimateGaN. Parallel zu den Arbeiten an großflächigen GaN auf Si- und Polyaluminiumnitrid-Substraten der Verbundpartner werden in diesem Teilvorhaben vertikale GaN MOSFET…
Verbundprojekt: Technologie und Anwendungen neuartiger optischer Halbleiter-Sensoren - VIZTA -; Teilvorhaben: Hochauflösendes 3D Lidar für das autonome Fahren
Dieses Teilvorhaben fokussiert sich auf die Entwicklung der Technologien für ein solid-state-LIDAR und dessen Demonstration. Das Ziel ist es durch gezielte Innovationen der Kernkomponenten bedeutende Verbesserungen für ein LIDAR der nächsten…
