Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Entwicklungsbegleitende Untersuchungen von extrem dotierten 300 mm Siliciumeinkristallen

Als Schlüsseltechnologie für Energieeffizienz sind Leistungshalbleiter eine wesentliche Voraussetzung für die Innovationskraft der Industrie, Basis für wirtschaftliches Wachstum und nachhaltige Arbeitsplätze in Deutschland sowie in Europa. Das ECSEL-Vorhaben POWERBASE vereint 13 deutsche und europaweit 40 Partner, um gemeinsam Voraussetzungen für neue hocheffiziente Leistungshalbleiter zu schaffen. Die deutschen Partner adressieren dabei vor allem Leistungshalbleiter¬technologien auf Basis neuartiger 300 mm Silizium-Basismaterialien, neue Galliumnitrid- Leistungshalbleiter und die dazugehörige Gehäusetechnologien, neue Methoden für die Hochautomatisierung von Leistungshalbleiterfertigungen und Demonstration der systematischen Vorteile innovativer Leistungshalbleiter in verschiedenen Anwendungen. Über das BMBF-Teilvorhaben EnPower ist die Fraunhofer-Gesellschaft mit den Einrichtungen IWMH, EMFT und THM in das ECSEL-Projekt eingebunden. Fraunhofer IWMH arbeitet an der Entwicklung von GaN- basierten Technologien durch Materialdiagnostik, Fehleranalytik und Modellierung auf Substrat-, Halbleiter- und Bauelementeebene mit. Das THM unterstützt die Technologieentwicklungen zur Herstellung von neuartigen 300 mm Silizium-Basismaterialien durch prozessbegleitende Charakterisierungen und erforscht die Defektentstehung in dem neuen Basismaterial. Die EMFT wird hochohmige Siliziumsubstrate sowie Bauteile auf hochohmigen Substraten bis 300 mm detailiert auf Defekte analysieren.