Verbundprojekt: Innovative Fehleranalytik für hochintegrierte Elektroniksysteme - SAM3 -; Teilvorhaben: Präzise laserbasierte Zielpräparation von Defektbereichen in 3D SiP Lösungen

More than More (MtM)", "3D Integration (3D IC)" und "System in Package (SiP)" sind drei wesentliche Schlüsseltechnologien für höchstintegrierte mikro-/nanoelektronischer Systeme. Diese spielen inzwischen in fast allen unseren Lebensbereichen eine herausragende Rolle. Sie haben besondere Hebelwirkung für technologische Innovationen in den für Deutschland wichtigen Bereichen Mobilität, Energietechnik, Medizintechnik, Industrie4.0, Internet of Things oder Beleuchtungstechnik. Aufgrund der hohen Anforderungen an Miniaturisierung und Leistungsfähigkeit sind enorme Herausforderungen hinsichtlich Reduzierung von Fehlern beim Einsatz dieser Schlüsseltechnologien zu meistern. Es wird erforderlich, Ursachen von Versagensprozessen sehr genau zu lokalisieren, zu analysieren und beherrschbar zu machen. Das Projekt SAM3 hat das Ziel, die in Deutschland existierende Kompetenz in Fehlerlokalisierung, Fehlerpräparation und Fehleranalyse durch enge Zusammenarbeit von Halbleiter- und Systemherstellern (Infineon und BOSCH), innovativen Anbietern von neuen Methoden der Fehleranalyse (3D-Micromac, MUEGGE, NanoWorld, point electronic, PVA TePla AS, SmarAct, und WITec) und der Wissenschaft (Fraunhofer IWMH mit seinem Fehleranalysekompetenzzentrum CAM und der Hochschule Reutlingen) zusammenzubringen. Miniaturisierte Systeme sollen schneller entwickelt, zuverlässiger und qualitativ besser gemacht werden. Die technische Zielsetzung der Forschungsarbeiten von Partner 3D-Micromac AG besteht dabei in der Erforschung von Technologien zur hochgenauen laserbasierten Zielpräparation von 3D-SiP Komponenten und der Erarbeitung der dafür einsetzbaren Anlagentechnik. AP 0: Anforderungen, Spezifikationen, Benchmarking AP 2: Hocheffiziente Präparationstechniken AP2.1: Laserbasierte Zielpräparation AP2.3: Laserbasierte konforme Rückpräparation verwölbter Substrate AP2.4: Laserbasierte Schaltkreismodifikation von SiP internen Verdrahtungen AP 4: Methodenbewertung, Leitfaden für Anwendung und Verwertung