Das Projekt SAM³ hat das Ziel, die in Deutschland existierende Kompetenz in Fehlerlokalisierung, Fehlerpräparation und Fehleranalyse in mikro-/nanoelektronischen Systemen durch enge Zusammenarbeit von Halbleiter- und Systemherstellern, Kleinen und Mittelständischen Unternehmen und der Wissenschaft zusammenzubringen. Miniaturisierte Systeme sollen schneller entwickelt, zuverlässiger und qualitative besser gemacht werden. - Erforschung geeigneter Referenz-Testaufbauten mit integrierten Temperatursensoren - Simulation der Wärmeausbreitung und experimentelle Verifikation durch integrierte Temperatursensoren - Design, Entwicklung und Herstellung geeigneter Testproben mit integrierten Spannungssensoren mit dem Ziel, eine Spannungs-Kalibrierung der neuen Methodik für quantitative Aussagen bereitzustellen (Referenzproben mit bekannter Eigenspannung) - Erstellen geeigneter FEM-Modelle, um den Eigenspannungszustand vor und nach Probenpräparation zu bestimmen - thermographische Analyse und Simulation von schnellen Schaltvorgängen in leis-tungselektronischen Bauteilen - Quantifizierung von kurzzeitig hoher lokale thermischer Belastung
Verbundprojekt: Innovative Fehleranalytik für hochintegrierte Elektroniksysteme - SAM3 -; Teilvorhaben: Innovative Teststrukturen für hochauflösende Fehlerlokalisierung und Erforschung von Temperaturmessverfahren
Laufzeit:
01.10.2015
- 31.12.2018
Förderkennzeichen: 16ES0349
Koordinator: Hochschule Reutlingen - Reutlingen Research Institute (RRI)
Verbund:
Innovative Fehleranalytik für hochintegrierte Elektroniksysteme
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Frankreich
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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