X-FAB als weltweit führende Analog-/Mixed-Signal-Foundry konzentriert sich auf die Integration neuer Funktionalitäten in ihre verschiedenen CMOS-Technologieplattformen. Das WAKeMeUP-Projekt bietet die Möglichkeit, eine neue nichtflüchtige Speicher (NVM)-Technologie in den Backend-of-Line-Prozess (BEOL) zu integrieren. Dieser neue Ansatz verbindet dabei die Vorteile eines sehr energieeffizienten NVM-Speichers mit der unabhängigen Optimierung des FEOL-CMOS Prozesses und der BEOL NVM-Integration. Darüber hinaus bietet der ferroelektrische NVM-Ansatz die Möglichkeit einer Flächenreduktion des NVM-Speichers. Eine 3D-Integration ist möglich, da die NVM Speicherzelle im BEOL erzeugt wird. Durch die besonders gute Energieeffizienz der NVM-Speicherzelle, können bestimmte Bausteine der Speicherperipherie reduziert werden und entsprechende Test-Zeiten verkürzt. Damit bringt die Lösung Kostenvorteile für potenzielle Kunden mit sich. Ziel des Projektes ist es, die Machbarkeit der Integration von ferroelektrischem Speichern in einen CMOS-Prozess zu demonstrieren, indem Speicherzellen und eine komplette integrierte Demonstratorschaltung charakterisiert werden. Die Ergebnisse werden die Grundlage für einen Transfer und zur Qualifizierung des Prozesses in einem industriellen Umfeld bilden.
Verbundprojekt: Neuartige Datenspeicherchips für leistungsstarke Automobilelektronik - WAKeMeUP -; Teilvorhaben: Entwicklung eines neuartigen nichtflüchtigen Speichers für die Automobilindustrie
Laufzeit:
01.06.2018
- 31.08.2021
Förderkennzeichen: 16ESE0299S
Koordinator: X-FAB Dresden GmbH & Co. KG
Verbund:
Neuartige Datenspeicherchips für leistungsstarke Automobilelektronik
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Tschechische Republik
Spanien
Frankreich
Türkei
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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