Das Projekt Pin3S soll in Kooperation führender europäischer Firmen und Institutionen die Integration der Prozesstechnologie für den 3-nm-Knoten der Halbleiterfertigung entwickeln. Die Innovationen in Pin3S werden die weltweit führende Rolle der Europäischen Halbleiterfertigungstechnologie sicherstellen. Eine wesentliche Rolle spielt hierbei das Konzept deformierbarer Spiegel. Das Fraunhofer IIS/EAS wird für die aus den deformierbaren Spiegeln aufgebauten EUV Geräte Monitoringwafer konzeptionieren und aufbauen, um die Gesamtperformance der Anlage und damit auch der Spiegel bewerten zu können.
Verbundprojekt: Pilotlinie für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - PIN3S -; Teilvorhaben: Monitoringwafer: Konzeption, Design, Fertigung und Inbetriebnahme
Laufzeit:
01.10.2019
- 30.04.2023
Förderkennzeichen: 16ESE0382S
Koordinator: Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen (IIS) - Institutsteil Entwicklung Adaptiver Systeme EAS
Verbund:
Pilotlinie für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Belgien
Frankreich
Israel
Niederlande
Rumänien
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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