Die X-FAB Semiconductor Foundries GmbH in Erfurt (XFAB-EF) wird sich mit der Entwicklung eines Prozess-Design-Kits (PDK) für CMOS-integrierte Isolationsbarrieren beschäftigen. Diese CMOS-integrierten Isolationsbarrieren sind Bestandteil für die Ansteuerung hochentwickelter IGBTs und anderer Leistungsbaulemente, um ihr gesamtes Potenzial voll ausnutzen zu können. Das Prozess-Design-Kit ist dabei die Schnittstelle zwischen den Designpartnern solcher Leistungssysteme mit integrierten Isolationsbarrieren und der X-FAB als Halbleiter-Technologiepartner. Das neu zu entwickelnde Prozessmodul wird in der Verwertung als open-access Modul in eine vorhandene Foundry-Technologieplattform integriert und im Prozess-Design-Kit entsprechend beschrieben und damit für die Anwender zur Verfügung gestellt. Damit leistet die X-FAB Semiconductor Foundries GmbH einen wesentlichen Beitrag für Erreichung der Power2Power Projektziele.
Verbundprojekt: Silizium-Leistungselektronik der nächsten Generation für Mobilität, Industrie und Stromnetze der CO2-freien Ära - Power2Power -; Teilvorhaben: Prozess Design Kit Entwicklung für integrierte Isolationsbarrieren
Laufzeit:
01.06.2019
- 30.09.2022
Förderkennzeichen: 16ESE0403T
Koordinator: X-FAB Global Services GmbH
Verbund:
Silizium-Leistungselektronik der nächsten Generation für Mobilität, Industrie und Stromnetze der CO2-freien Ära
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Schweiz
Spanien
Finnland
Ungarn
Niederlande
Slowakei
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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