Verbundprojekt: Silizium-Leistungselektronik der nächsten Generation für Mobilität, Industrie und Stromnetze der CO2-freien Ära - Power2Power -; Teilvorhaben: Entwicklung einer CMOS-integrierten Barriere für die galvanische Isolation auf Chip-Ebene

Die X-FAB Dresden (XFAB-DD) wird sich mit der Entwicklung einer CMOS-integrierten Isolationsbarriere auf Chip-Ebene beschäftigen. Diese CMOS-integrierte Isolationsbarriere ist Bestandteil für die Ansteuerung hochentwickelter IGBTs und anderer Leistungsbauelemente, um ihr gesamtes Potenzial ausnutzen zu können. Insbesondere eine schnelle Ansteuerung ist wichtig, damit Verluste während des permanenten Schaltbetriebes der Leistungsbauelemente minimiert werden können. Um diese zu erreichen, ist ein möglichst hoher Integrationsgrad im Treibersystem erforderlich, durch den Steuer- und Treiberschaltkreise in einem gemeinsamen Chip-Gehäuse untergebracht werden können. Dieser Ansatz erfordert die Integration einer starken Isolationsbarriere für die Gewährleistung der galvanischen Trennung zwischen den elektrischen Teilbereichen des Gesamtsystems. Die neu zu entwickelnde Technologie wird in der Verwertung als open-access Technologie-Modul in eine vorhandene Foundry-Technologieplattform integriert. Damit leistet die X-FAB Dresden GmbH & Co. KG einen wesentlichen Beitrag für Erreichung der Power2Power Projektziele.