Verbundprojekt: Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik - Move2THz -

Elektronische Geräte entwickeln sich weiterhin erheblich und befeuern die digitale Transformation hin zu einer vernetzten Gesellschaft. Höhere Frequenzen bieten deutlich höhere Bandbreite und Energieeffizienz, um Kommunikations- und Sensing-Anwendungen bei Sub-THz-Frequenzen und darüber hinaus zu betreiben. Die heutigen Technologien kommen jedoch zu kurz, um diese Frequenzen effizient und effektiv zu nutzen, selbst unter Berücksichtigung technologischer Entwicklungen. Eine bahnbrechende und dennoch kommerziell tragfähige Technologie wird dringend benötigt. Indiumphosphid (InP) verfügt über herausragende und einzigartige Fähigkeiten, um herkömmliche Technologien hinsichtlich der Hochfrequenzleistung zu übertreffen. Heute wird InP nur in Nischenmärkten aufgrund seiner kostspieligen und knappen Substrate eingesetzt. Move2THz zielt darauf ab, die Transformation der InP-Plattform einzuleiten und eine vollständig integrierte europäische Wertschöpfungskette aufzubauen, die kommerziell attraktive, ökologiefreundliche Massenmarkttechnologien für den Betrieb bei Sub-THz-Frequenzen und darüber hinaus bereitstellt. Um dies zu erreichen, wird Move2THz im Fertigungsprozess innovieren, indem ein bahnbrechender globaler Standard für InP auf Silizium (InPoSi) etabliert wird. Dies erleichtert die Hochskalierung der Wafergröße und -menge, die mit den Fertigungskapazitäten von CMOS kompatibel ist, und minimiert gleichzeitig die Verwendung seltener InP-Ressourcen und den ökologischen Fußabdruck. Im weiteren Verlauf der Wertschöpfungskette wird die europäische InP-Plattform durch Substrate, Fertigung, Design und Foundry-Dienstleistungen, einschließlich Integration, Packaging und Ausbildung, entwickelt, ausgereift und übernommen.