Ziel des FBH ist es, einen Benchmark für die neu entwickelten Substrate zu etablieren. Dies wird dadurch ermöglicht, dass das FBH bereits über einen etablierten InP-HBT-MMIC-Prozess auf nativem InP-Substrat verfügt. Diese Benchmarking-Aktivitäten umfassen den Transistorprozess selbst, die Ausgangsleistung, Zuverlässigkeitstests und die Schaltungs-Performanz bis zum D-Band. Darüber hinaus werden sich die Aktivitäten auf die Hochskalierung der neu entwickelten Substrate auf 150 mm und schließlich 200 mm konzentrieren. Dadurch lassen sich nicht nur die Designfläche vergrößern, sondern auch die Kosten erheblich senken und der CO2-Fußabdruck dieser Prozesse verringern.
Verbundprojekt: Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik - Move2THz -
Laufzeit:
01.06.2024
- 31.05.2027
Förderkennzeichen: 16MEE0392
Koordinator: Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz- Institut für Höchstfrequenztechnik
Verbund:
Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Belgien
Schweiz
Frankreich
Litauen
Niederlande
Schweden
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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