Das Projekt soll eine langfristige, intensive Kooperation zwischen der Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg OvGU und der Universidad Nacional de San Martín,Comisión Nacional de Energía Atomica (UNSAM/CNEA) im Bereich neuartiger Hochleistungshalbleiterbauelemente für den Einsatz im Weltraum begründen. Die Kooperation sucht die Verbindung einer einzigartigen technologische Expertise für Halbleiterwachstum und -prozessierung (OvGU) mit der Materialcharakterisierung und Bauelementuntersuchung unter Weltraumbedingungen (UNSAM/CNEA). Das Projekt ermöglicht es beiden Partnern, eine Führungsrolle in der Herstellung von neuartigen, strahlungsresistenten, Gruppe-III-Nitrid basierten Bauelementen einzunehmen. Bei erfolgreicher Umsetzung des Vorhabens wird zusätzlich der Startschuss für eine langfristige Kooperation zwischen der OvGU (Deutschland) und der UNSAM/CNEA (Argentinien) auf dem Gebiet einer neuen Klasse von Feldeffekttransistoren (FETs) gegeben. Diese strategische Partnerschaft wird einen Grundstein für einen gegenseitigen Wissens- und Technologietransfer im Bereich von nitridbasierten Bauelementen für Weltraumanwendungen zwischen der OvGU und UNSAM/CNEA legen.
Untersuchung und Entwicklung von robusten Gruppe-III-Nitrid basierten Bauelementen für die Leistungselektronik und Telekommunikationsanwendungen in Satelliten. Errichtung einer langfristigen Kooperation zwischen der OvGU und UNSAM/CNEA
Laufzeit:
01.10.2016
- 30.06.2019
Förderkennzeichen: 01DN16023
Koordinator: Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg - Fakultät für Naturwissenschaften - Institut für Experimentelle Physik
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Argentinien
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation