Verbundprojekt: Fertigungsprozesse integrierter Schaltungen mit bisher unerreichten Strukturgrößen von bis zu 5 nm - TAKE5 -; Teilvorhaben: Optimierung strukturierungsergänzender Messverfahren

Das Projekt TAKE5 soll in Kooperation führender europäischer Firmen und Institutionen die Grundlagen für Fertigungstechnologien für den 5-nm-Knoten der Halbleiterfertigung entwickeln. Bei zunehmend aggressiveren Technologieknoten spielen Verfahren zur Detektion, Analyse und Bewertung von Defekten eine wesentliche Rolle. Fraunhofer IISB wird mit seinen Arbeiten zur Modellierung hochauflösender Messverfahren und der engen Kopplung an die lithografische Prozesssimulation neue Verfahren zur Detektion und prozess-orientierten Bewertung von Maskendefekten erforschen und im Hinblick auf praktische Anwendungen untersuchen. Schwerpunkt der Arbeiten von Fraunhofer IISB besteht in der Erforschung und Implementierung von Algorithmen zur Übersetzung hochauflösender elektronenmikroskopischer (SEM) Aufnahmen von defektfreien bzw. defektbehafteten Masken für die EUV-Lithografie in deren dreidimensionale Geometrien. Die dreidimensionale Beschreibung von Masken und deren Nutzung in etablierten Simulationsverfahren ermöglicht lithografische Prozesssimulationen mit hoher Vorhersagekraft. Die so erhaltenen Simulationsresultate werden eine prozess-orientierte Bewertung von Maskendefekten anhand von SEM-Aufnahmen ermöglichen. Das beschriebene Konzept soll anhand umfangreicher Simulationsstudien und realer Wafer-prints verifiziert und verfeinert werden.