StartseiteLänderAsienJapanCluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben F

Cluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben F

Laufzeit: 01.08.2018 - 31.10.2021 Förderkennzeichen: 03INT501AF
Koordinator: Universität Bremen - Fachbereich 01 Physik/Elektrotechnik - Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente

Um das Potenzial von WBG Leistungshalbleiterbauelementen für Automobilanwendungen voll ausschöpfen zu können, ist eine neue, hochintegrierte Aufbautechnik erforderlich. Hauptziel ist die Miniaturisierung der elektronischen Leistungssteller, was eine signifikante Erhöhung der Leistungsdichte und damit der Temperatur bedeutet. Dem IALB kommt in diesem Verbundprojekt die Durchführung und Bewertung von Feuchte- und Schadgastests zu. Dazu werden neuartige Zuverlässigkeitstests für die höhere Temperaturbeanspruchung der WBG Module entwickelt und elektrochemische Feuchtigkeits- und Korrosionsprüfungen charakteristisch modifiziert. Schließlich werden umfangreiche Messreihen an den im Vorhaben durch die anderen Partner erstellten Proben und Baugruppen durchgeführt.

Verbund: IsoGap - High Temperature Materials for WBG Power Electronics Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Japan Themen: Förderung Innovation

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