StartseiteLänderAsienJapanCluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben C

Cluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben C

Laufzeit: 01.08.2018 - 31.07.2021 Förderkennzeichen: 03INT501AC
Koordinator: Rogers Germany GmbH

Die Entwicklung hochtemperaturbeständiger Beschichtungssysteme für niederinduktive hochintegrierte Wide-Band-Gap Liestungshalbleitermodule erfordert dafür optimierte keramische Substrate. Die Anforderungen für diese Substrate sollen im Rahmen dieses Projektes erforscht und von Rogers in Testsubstraten umgesetzt werden. Die Substrate müssen bestimmte geometrische Anforderungen für den geplanten Aufbau aufweisen. Zudem muss die Ebenheit der Substrate optimiert werden, da hohe Temperaturen bis zu 300°C realisiert werden sollen. Für den geplanten niederinduktiven Aufbau müssen die Substrate bestmöglich daran angepasst werden. Der doppelseitige Aufbau impliziert eine doppelseitige Kühlung, für die neuartige Kühlsysteme erforscht und realisiert werden sollen, die möglichst spannungsarm in den Kühlkreislauf integriert werden können.

Verbund: IsoGap - High Temperature Materials for WBG Power Electronics Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Japan Themen: Förderung Innovation

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