Das Beschichtungssystem wird für die speziellen Anforderungen von WBG-Halbleitermodulen optimiert. Es werden neuartige Isolationsmaterialien aus der Gruppe der Parylene eingesetzt. Die verwendeten Materialien besitzen eine hohe Temperaturstabilität, um Halbleitertemperaturen Tj von 300 °C zu ermöglichen. Die Spannungsfestigkeit des Materials ermöglicht die Isolation von 10 kV bei dünnen Schichten (< 100 µm), um die oberseitige Isolation des Halbleiters bei doppel-seitiger Kontaktierung zu gewährleisten. Die Isolationseigenschaften inklusive des Teil-entladungsverhaltens müssen auch bei sehr hohen Schaltflanken (dU/dt) und Temperaturen ge-geben sein. Aufgrund der äußerst kompakten Bauweise hochintegrierter Module muss das Mate-rial eine sehr gute Spaltgängigkeit aufweisen, um auch Spalte mit Höhen < 100 µm defektfrei zu benetzen und zu füllen.
Cluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben B
Laufzeit:
01.08.2018
- 31.07.2021
Förderkennzeichen: 03INT501AB
Koordinator: Vitesco Technologies Germany GmbH
Verbund:
IsoGap - High Temperature Materials for WBG Power Electronics
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Japan
Themen:
Förderung
Innovation
Weitere Informationen
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