Projekte: Litauen
Hier finden Sie eine Übersicht zu laufenden und abgeschlossenen Vorhaben der Projektförderung des BMBF mit Beteiligung Litauens. Aufgeführt werden Vorhaben mit einer Laufzeit bis mindestens zum Jahr 2018. Die Projekte werden in chronologischer Reihenfolge angezeigt (neueste zuerst).
Hinweis: Die Liste enthält sowohl Einzelprojekte, als auch Verbundprojekte, die aus mehreren Teilprojekten bestehen. Die Teilprojekte eines Verbundprojektes sind miteinander verlinkt.
Sie können die Projekte nach Start- und Endjahren und nach Fachbereichen filtern. Eine Mehrfachauswahl von Fachbereichen führt dazu, dass durch die Filter Projekte für alle ausgewählten Fachbereiche angezeigt werden („oder“-Auswahl), sie ist nicht auf Kombinationen beschränkt („und“-Auswahl).
Verbundprojekt: Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik - Move2THz -
Es werden Elemente der Aufbau- und Verbindungstechnik und integrierte Antennenarrays für die Anwendung in Front-End Modulen für Sub-THz Radarsensoren mit InP Halbleiterkomponenten untersucht. Die Radarsensoren sollen in ausgewählten Frequenzbändern…
Verbundprojekt: Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik - Move2THz -
Ziel des FBH ist es, einen Benchmark für die neu entwickelten Substrate zu etablieren. Dies wird dadurch ermöglicht, dass das FBH bereits über einen etablierten InP-HBT-MMIC-Prozess auf nativem InP-Substrat verfügt. Diese Benchmarking-Aktivitäten…
Verbundprojekt: Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik - Move2THz -
Zukünftige Hochfrequenzsysteme (HF-Systeme) im Bereich von 20 GHz bis 1 THz erfordern Transistortechnologien, die hohe Grenzfrequenzen bei gleichzeitig hoher Durchbruchspannung, hoher Linearität und gutem Rauschverhalten besitzen. Hierfür ist das…
Verbundprojekt: Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik - Move2THz -
Zukünftige Hochfrequenzsysteme (HF-Systeme) im Bereich von 20 GHz bis 1 THz erfordern Transistortechnologien, die hohe Grenzfrequenzen bei gleichzeitig hoher Durchbruchspannung, hoher Linearität und gutem Rauschverhalten besitzen. Hierfür ist das…
Verbundprojekt: Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik - Move2THz -
Das Projekt gliedert sich in drei Teilaufgaben, ausgehend von Prozessen mit 4"-Substraten, welche anschließend auf den 6"-Durchmesser transferiert werden sollen. Dies betrifft die Entwicklung und Bereitstellung von 1. bond-ready Substraten für den…
Verbundprojekt: Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik - Move2THz -
Ziel des Move2THz Projekts ist die Etablierung eines Ökosystems für InP-Chiptechnologien, die 200mm – 300mm Substrate nutzt. Hier sollen neben nativen InP-Substraten mit größerem Durchmesser (150mm – 200mm) besonders innovative InP-auf-Silizium…
Verbundprojekt: Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik - Move2THz -
Die Unterstützung von InP / InPoSi Transistoren (HBTs und HEMTs) für Designgruppen durch Simulationsbibliotheken mit einer genauen Darstellung des elektrischen und thermischen Verhaltens dieser Bauelemente ist derzeit sehr begrenzt. Es besteht ein…
Hardwareabstraktionsschicht für das Software-definierte Automobil der Zukunft - HAL4SDV -
Für die ETAS GmbH, die aus der klassischen Automotive-Industrie kommt, ist die erforderliche Transformation des Produktportfolios in Richtung Open Source SW-Komponenten und cloud-basierter Entwicklungstools, sowie der erforderlichen…
Hardwareabstraktionsschicht für das Software-definierte Automobil der Zukunft - HAL4SDV -
Die europäische Automobilindustrie sieht sich mit einer Reihe von Herausforderungen konfrontiert: Der wohl kritischste Faktor bei der Bewältigung dieser Herausforderungen ist die Software: Die Kunden erwarten nicht nur, dass sich Fahrzeuge wie…
