Verbundprojekt: Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik - Move2THz -

Das Projekt gliedert sich in drei Teilaufgaben, ausgehend von Prozessen mit 4"-Substraten, welche anschließend auf den 6"-Durchmesser transferiert werden sollen. Dies betrifft die Entwicklung und Bereitstellung von 1. bond-ready Substraten für den InPoSi-Prozess sowie 2. großflächige (6") epi-ready InP-Substrate für die Fertigung von Hochfrequenzbauelementen. Für die Herstellung größerer Durchmesser bestehen besondere Herausforderungen in der Adaption und Optimierung der Prozesskontrolle in allen Technologieschritten sowie in der zu erzielenden Uniformität der wesentlichen Parameter über die Waferfläche. Dies ist für den Transfer von InP-Schichten im ersten Teil unerlässlich. Hinzu kommt, dass spezifische physikalische und Oberflächenparameter wie z.B. Rauheit, Ebenheit, Versetzungsdichte, Kontaminationslevel oder Dotierstoffniveau erreicht werden müssen, um die Substrate gezielt für die Herstellung bestimmter Bauelemente einsetzen zu können. Der dritte Teil des Projektes soll dazu dienen, einen Reclaim-Prozess für benutzte InPoSi-Substrate zur mehrmaligen Verwendung zu entwickeln, welcher mindestens 90% Effizienz aufweist. Auch hier werden zunächst gebrauchte 4"-Substrate betrachtet, um einen effektiven Reinigungsprozess zur Entfernung von Defekten zu entwickeln und eine definierte Oberfläche mit korrekten und vor allem uniformen Parametern wie z.B. Rauheit und Ebenheit wiederherzustellen. Der Technologietransfer auf den 6" – Durchmesser schließt sich an. Da InP ein sehr fragiles Material ist, müssen in jedem Prozessschritt Maßnahmen zur Verringerung der Bruchrate gefunden werden. Dies kann z.B. durch sanfteres Handling oder zusätzliche Stabilisierung durch Carrier erfolgen.