Projekte: Belgien
Hier finden Sie eine Übersicht zu laufenden und abgeschlossenen Vorhaben der Projektförderung des BMBF mit Beteiligung Belgiens. Aufgeführt werden Vorhaben mit einer Laufzeit bis mindestens zum Jahr 2018. Die Projekte werden in chronologischer Reihenfolge angezeigt (neueste zuerst).
Hinweis: Die Liste enthält sowohl Einzelprojekte, als auch Verbundprojekte, die aus mehreren Teilprojekten bestehen. Die Teilprojekte eines Verbundprojektes sind miteinander verlinkt.
Sie können die Projekte nach Start- und Endjahren und nach Fachbereichen filtern. Eine Mehrfachauswahl von Fachbereichen führt dazu, dass durch die Filter Projekte für alle ausgewählten Fachbereiche angezeigt werden („oder“-Auswahl), sie ist nicht auf Kombinationen beschränkt („und“-Auswahl).
Verbundprojekt: Metrologie für die Halbleiter-Herstellung mit Industrie 4.0 - MADEin4 -; Teilvorhaben: Verbesserung der Kontaminationskontrolle
Das Ziel des Vorhabens ist die Verbesserung der Nachweisgrenzen von für die Halbleiterindustrie wichtigen (Ultra)-Spurenelementen, welche sich momentan nur bedingt und mit hohem Aufwand quantifizieren lassen. Zu diesen Elementen zählen u.a. Phosphor,…
ERA-CVD: AtheroInside: Die lokale Immunmodulation von Atherosklerose mittels CD8+ T-Zell-basierter Nanomedizin
Arteriosklerose ist ein grundlegendes Krankheitsbild von Kardiovaskulären Krankheiten und eine Hauptursache für unerwünschte kardiovaskuläre Vorfälle (MACE). Chronische Entzündungen treiben das Wachstum und die Destabilisierung der…
Integrals - INTEGRative Multi-OMICs-Ansätze in iPSC-abgeleiteten 2D- und 3D-Modellen, um die Rolle des Immun- und Energiestoffwechsels im Zusammenhang mit Genen/-Wegen in der Amyotrophen Lateralsklerose aufzuklären
Die amyotrophe Lateralsklerose (ALS) ist eine seltene Gruppe neurologischer Erkrankungen, die Patienten und ihre Familien massiv belastet und einen erheblichen Einfluss auf die Gesellschaft hat. ALS zeichnet sich durch einen progressiven Verlust der…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Erforschung von GaN/Si Leistungsbauelementen und der dazugehörigen, zuverlässigen Aufbau- und Verbindungstechnologien
Die Infineon Technologies AG ist stark in die Erreichung der Hauptziele des EU-Projekts UltimateGaN eingebunden. So soll die führende Position Europas in Bezug auf Leistungshalbleiter und Hochleistungs-HF-Anwendungen gesichert werden, indem mit der…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: MOCVD-Technologie für die Realisierung der zukünftigen GaN-Roadmap
Ziel dieses Projektes ist die Entwicklung einer Technologie zur Realisierung von Bauteilen der nächsten Generation von GaN basierenden Bauelementen für die Mikrowellen- und Leistungselektronik. Das übergeordnete Ziel des UltimateGaN-Projekts ist:…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: RF GaN Substrat Wafer
Das ECSEL-Vorhaben UltimateGaN vereint europaweit 26 Partner aus 9 Ländern, um gemeinsam die Voraussetzungen für anspruchsvollste Galliumnitrid auf Silizium basierter RF- und Leistungshalbleiter, gefertigt in Europa, zu schaffen. Hauptziele von…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Identifizierung von Degradations- und Ausfallmechanismen und Optimierung neuartiger nitridbasierter Leistungselektronikgeräte durch…
Das Hauptziel von UltimateGaN ist es, die führende Position Europas bei Leistungshalbleitern und Hochleistungs-HF-Anwendungen zu sichern, indem mit der nächsten Generation von GaN-Technologien ein innovativer Durchbruch erzielt wird. Die…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Materialcharakterisierung und innovative Fehlerdiagnostik für hocheffiziente GaN basierte Hochfrequenz- und…
Im ECSEL-Vorhaben UltimateGaN arbeiten 7 deutsche und europaweit 21 Partner zusammen, um gemeinsam die Voraussetzungen für eine neue Generation Leistungshalbleiter zu schaffen. Zielstellungen der deutschen Partner adressieren dabei vor allem neue…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Entwicklung einer mm-Wellen "GaN auf Si"-Technologie
Im Vorhaben "Ultimate GaN" verfolgt das Fraunhofer IAF in enger Zusammenarbeit mit dem Konsortüm im Rahmen des EU-Projekts das Ziel, eine GaN-basierte Technologie und -Bauelemente auf Silizium Substraten für hohe Frequenzen > 28 GHz zu entwickeln.…
