Projekte: Slowakei
Hier finden Sie eine Übersicht zu laufenden und abgeschlossenen Vorhaben der Projektförderung des BMBF mit Beteiligung der Slowakei. Aufgeführt werden Vorhaben mit einer Laufzeit bis mindestens zum Jahr 2018. Die Projekte werden in chronologischer Reihenfolge angezeigt (neueste zuerst).
Hinweis: Die Liste enthält sowohl Einzelprojekte, als auch Verbundprojekte, die aus mehreren Teilprojekten bestehen. Die Teilprojekte eines Verbundprojektes sind miteinander verlinkt.
Sie können die Projekte nach Start- und Endjahren und nach Fachbereichen filtern. Eine Mehrfachauswahl von Fachbereichen führt dazu, dass durch die Filter Projekte für alle ausgewählten Fachbereiche angezeigt werden („oder“-Auswahl), sie ist nicht auf Kombinationen beschränkt („und“-Auswahl).
Verbundprojekt: Silizium-Leistungselektronik der nächsten Generation für Mobilität, Industrie und Stromnetze der CO2-freien Ära - Power2Power -; Teilvorhaben: Integrierter Gatetreiber mit innovativer Technologie und Isolation
Das Vorhaben Power2Power gliedert sich in verschiedene Arbeitspakete mit unterschiedlicher Ausrichtung. Zum einen werden neue IGBT-Designs und -Technologien für Temperaturen bis 200°C auf 300mm Wafern entwickelt und für die Volumenproduktion…
Verbundprojekt: Silizium-Leistungselektronik der nächsten Generation für Mobilität, Industrie und Stromnetze der CO2-freien Ära - Power2Power -; Teilvorhaben: Zuverlässigkeit-, Robustheit- und Lebensdaueruntersuchungen von IGBT-Leistungsmodulen auf…
Aufgrund des weltweit steigenden Energiebedarfs ist eine zunehmende Nutzung erneuerbarer Energien erforderlich um Kohlendioxidemissionen zu verringern. Für die Energieumwandlung werden effiziente Leistungshalbleiter benötigt, weshalb die Märkte für…
Verbundprojekt: Silizium-Leistungselektronik der nächsten Generation für Mobilität, Industrie und Stromnetze der CO2-freien Ära - Power2Power -; Teilvorhaben: Modellbasierte Ermittlung optimaler Prozessparameter für neuartige…
Aufgrund des weltweit steigenden Energiebedarfs ist eine zunehmende Nutzung erneuerbarer Energien erforderlich um Kohlendioxidemissionen zu verringern. Für die Energieumwandlung werden effiziente Leistungshalbleiter benötigt, weshalb die Märkte für…
Verbundprojekt: Silizium-Leistungselektronik der nächsten Generation für Mobilität, Industrie und Stromnetze der CO2-freien Ära - Power2Power -; Teilvorhaben: Entwicklung und Implementierung eines anwendungsorientierten Hochvolt-Halbleitertests
Aufgrund des weltweit steigenden Energiebedarfs ist eine zunehmende Nutzung erneuerbarer Energien erforderlich um Kohlendioxidemissionen zu verringern. Für die Energieumwandlung werden effiziente Leistungshalbleiter benötigt, weshalb die Märkte für…
Verbundprojekt: Silizium-Leistungselektronik der nächsten Generation für Mobilität, Industrie und Stromnetze der CO2-freien Ära - Power2Power -; Teilvorhaben: Entwicklung einer CMOS-integrierten Barriere für die galvanische Isolation auf Chip-Ebene
Die X-FAB Dresden (XFAB-DD) wird sich mit der Entwicklung einer CMOS-integrierten Isolationsbarriere auf Chip-Ebene beschäftigen. Diese CMOS-integrierte Isolationsbarriere ist Bestandteil für die Ansteuerung hochentwickelter IGBTs und anderer…
Verbundprojekt: Silizium-Leistungselektronik der nächsten Generation für Mobilität, Industrie und Stromnetze der CO2-freien Ära - Power2Power -; Teilvorhaben: Prozess Design Kit Entwicklung für integrierte Isolationsbarrieren
Die X-FAB Semiconductor Foundries GmbH in Erfurt (XFAB-EF) wird sich mit der Entwicklung eines Prozess-Design-Kits (PDK) für CMOS-integrierte Isolationsbarrieren beschäftigen. Diese CMOS-integrierten Isolationsbarrieren sind Bestandteil für die…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Erforschung von GaN/Si Leistungsbauelementen und der dazugehörigen, zuverlässigen Aufbau- und Verbindungstechnologien
Die Infineon Technologies AG ist stark in die Erreichung der Hauptziele des EU-Projekts UltimateGaN eingebunden. So soll die führende Position Europas in Bezug auf Leistungshalbleiter und Hochleistungs-HF-Anwendungen gesichert werden, indem mit der…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: MOCVD-Technologie für die Realisierung der zukünftigen GaN-Roadmap
Ziel dieses Projektes ist die Entwicklung einer Technologie zur Realisierung von Bauteilen der nächsten Generation von GaN basierenden Bauelementen für die Mikrowellen- und Leistungselektronik. Das übergeordnete Ziel des UltimateGaN-Projekts ist:…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: RF GaN Substrat Wafer
Das ECSEL-Vorhaben UltimateGaN vereint europaweit 26 Partner aus 9 Ländern, um gemeinsam die Voraussetzungen für anspruchsvollste Galliumnitrid auf Silizium basierter RF- und Leistungshalbleiter, gefertigt in Europa, zu schaffen. Hauptziele von…
