Verbundprojekt: Eingebettete Datenspeicher für Mikrocontroller mit Künstlicher Intelligenz - StorAIge -

X-FAB konzentriert sich als weltweit führende Analog-/Mixed-Signal-Foundry auf die Integration neuer Funktionalitäten in ihre verschiedenen CMOS-Technologieplattformen. Im Rahmen des StorAIge-Projektes sollen dazu neue nichtflüchtige ferroelektrische Speichertechnologien für KI-Anwendungen in eine fortschrittliche CMOS-SOI-Technologie integriert werden. Vorteile eines ferroelektrischen Speichers sind eine hohe Energieeffizienz sowie die Möglichkeit einer Flächenreduktion, die potentiellen Kunden Kostenvorteile bietet. Der ferroelektrisch-basierte Speicher eignet sich dabei sehr für sehr energieeffizientes Near- oder In-Memory-Computing am Edge. Damit wird die Basis für KI-Funktionalitäten am Edge, also nahe am Sensor, geschaffen. Aufbauend auf der Integration eines neuen Prozessmoduls für ferroelektrische Datenspeicher in die SOI Technologie wird der Prozess optimiert werden (z.B. hinsichtlich der Elektroden, Interface-Schichten, Schichtzusammensetzung). Verschiedene Speicherzellen sollen charakterisiert und hinsichtlich ihrer Integrationsmöglichkeiten (z.B. Größe) und ihrer Anwendungsoptionen, optimiert werden. Ziel des Projektes ist es, die Integration von nichtflüchtigen Speichertechnologien in einen CMOS-Prozess zu optimieren, was anhand von einzelnen Speicherzellen und komplexeren Schaltungen demonstriert werden soll. Die Ergebnisse werden die Grundlage zur Qualifizierung des Prozesses in einem industriellen Umfeld bilden.