Im Vorhaben "All2GaN" verfolgt das Fraunhofer IAF in enger Zusammenarbeit mit dem Konsortium das Ziel, eine GaN-basierte Technologie und -Bauelemente auf Silizium Substraten für hohe Frequenzen > 28 GHz zu entwickeln. Durch den Einsatz von kostengünstigen und Industrie-kompatiblen 200 mm Silizium Substraten sollen leistungsfähige Transistor-Bauelemente und integrierte Schaltungen (ICs) entwickelt werden, die sich durch eine erstklassige Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit auszeichnen. Diese GaN/Si-Bauelemente können in hochstandartisierten CMOS-Prozessanlagen hergestellt werden und sollen deutlich kostengünstiger sein als vergleichbare GaN-Technologien auf SiC Substraten, welche den aktuellen "Stand der Technik" definieren. Gerade im Hinblick auf den Einsatz dieser zukünftigen GaN/Si Technologien in den aufstrebenden Märkten, wie den Mobilfunksystemen der 6. Generation (6G) oder ähnlicher hochfrequenter Leistungsanwendungen, wird der Preis für zuverlässige Hochfrequenz-Komponenten dieser Systeme eine entscheidende Rolle spielen.
Verbundprojekt: Intelligente GaN-Leistungselektronik für effiziente Energiewandlung - ALL2GaN -
Laufzeit:
01.05.2023
- 30.04.2026
Förderkennzeichen: 16MEE0284
Koordinator: Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF)
Verbund:
Intelligente GaN-Leistungselektronik für effiziente Energiewandlung
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Tschechische Republik
Dänemark
Spanien
Griechenland
Niederlande
Norwegen
Slowakei
Schweden
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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