Ziel des Teilprojektes ist die Integration vollständiger SMD-System-on-Board-integrierter GaN-Leistungsmodule in ein bidirektionales DC-EV-Lademodul zu unterstützen. Damit sollen die Herstellbarkeit verbessert und das Gewicht reduziert werden. Das GaN-Schalten ist eine potenzielle Quelle von EMV-Störungen. DC-EV-Ladegeräte müssen die EMV-Anforderungen erfüllen. Zeit- und kostenoptimiertes EMV-Design erfordert adäquate Modelle. Bidirektionale DC-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge in Kombination mit den Elektrofahrzeugbatterien können zu einem wesentlichen Bestandteil dieses Speichersystems im Netzmaßstab werden, bei dem die Elektrofahrzeugbatterien das Netz unterstützen, indem sie das Auto bei überschüssiger erneuerbarer Energie aufladen und bei Bedarf in das Netz einspeisen.
Verbundprojekt: Intelligente GaN-Leistungselektronik für effiziente Energiewandlung - ALL2GaN -
Laufzeit:
01.05.2023
- 30.04.2026
Förderkennzeichen: 16MEE0282T
Koordinator: CE-LAB GmbH. EMV-Prüfzentrum
Verbund:
Intelligente GaN-Leistungselektronik für effiziente Energiewandlung
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Tschechische Republik
Dänemark
Spanien
Griechenland
Niederlande
Norwegen
Slowakei
Schweden
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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