Im EU-Vorhaben "All2GaN2 arbeiten deutsche und europäische Partner zusammen, um führende Position Europas in Bezug auf Leistungshalbleiter und Hochleistungs-HF-Anwendungen zu sichern und weiter auszubauen. Zielstellungen der deutschen Partner adressieren dabei die Entwicklung von neuen Leistungs- und RF-GaN-Technologien für verschiedene Spannungsklassen, einschließlich einer modularen Reihe von integrierten System-on-Chip-Funktionen wie Strommessung, Schutz, Treiber und Halbbrücken sowie Packungstechnologien zur Unterstützung spezifischer Anforderungen an das GaN-Schichtsystem.Das Fraunhofer IMWS wird die Entwicklung von zuverlässigen High-Performance GaNBauelementen mit der Erforschung der mikrostrukturellen Eigenschaften und Auswirkungen von Grenzflächeneigenschaften und Defekten in den epitaktischen Schichten mittels hochauflösender Verfahren der Materialcharakterisierung und Fehlerdiagnostik unterstützen.
Verbundprojekt: Intelligente GaN-Leistungselektronik für effiziente Energiewandlung - ALL2GaN -
Laufzeit:
01.05.2023
- 30.04.2026
Förderkennzeichen: 16MEE0283
Koordinator: Fraunhofer-Institut für Mikrostruktur von Werkstoffen und Systemen (IMWS)
Verbund:
Intelligente GaN-Leistungselektronik für effiziente Energiewandlung
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Tschechische Republik
Dänemark
Spanien
Griechenland
Niederlande
Norwegen
Slowakei
Schweden
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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