Das Teilvorhaben "GaN-Substrat-Prozessierung und –Charakterisierung" (All2GaN-GSPC) fügt sich in das Gesamtziel des Verbundvorhabens All2GaN ein. ALL2GaN soll das Rückgrat für die europäische Leistungselektronikindustrie bilden, indem es einen in der EU entwickelten Werkzeugkasten für die intelligente GaN-Integration anbie-tet. Das Projekt wird die Grundlage für Anwendungen mit deutlich höherer Material- und Energieeffizienz bilden, um so den globalen Energiebedarf nachhaltiger zu decken, indem der CO2-Fußabdruck minimiert wird. Das Ziel des Teilvorhabens ist die Weiterentwicklung bestehender Ansätze zur vorteilhaften Prozessierung von GaN-Substraten insbesondere die Strukturierung von GaN auf SiC- und auf so genannten "engineered"-Substraten auf gängigen Wafer-Formaten bis zu einer Größe von 200mm.
Verbundprojekt: Intelligente GaN-Leistungselektronik für effiziente Energiewandlung - ALL2GaN -
Laufzeit:
01.05.2023
- 30.04.2026
Förderkennzeichen: 16MEE0288
Koordinator: Institut für Mikroelektronik Stuttgart
Verbund:
Intelligente GaN-Leistungselektronik für effiziente Energiewandlung
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Tschechische Republik
Dänemark
Spanien
Griechenland
Niederlande
Norwegen
Slowakei
Schweden
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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