Das Ziel von UltimateGaN liegt in der Erforschung und Entwicklung neuer, auf Galliumnitrid (GaN) basierter, Prozess- und Bauelementtechnologien für die Leistungselektronik. Der Fokus soll hierbei sowohl auf vertikale als auch auf laterale Technologien gelegt werden. Neben Ausbeute- und Zuverlässigkeitsaspekten werden zudem auch neue Packaging-Konzepte im Projekt adressiert, um die inhärenten Vorteile von GaN auch vollständig ausschöpfen zu können. Die Ergebnisse sollen schließlich für verschiedene Anwendung-Szenarien, zu denen Stromversorgungen für Serveranalgen, Photovoltaikinverter und Ladegeräte, 5G-Verstärker und LIDAR-Anwendungen gehören, demonstriert werden. Die TUC wird sich im Projekt mit den damit einhergehenden Problemstellungen hinsichtlich der thermo-mechanischen Zuverlässigkeit beschäftigen. Dabei werden zum einem umfassenden (Lebensdauer-)Tests, zum anderem FE-basierte Simulationen mit dem Ziel eines ganzheitlichen 'Virtuellen Prototypings' durchgeführt.
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Zuverlässigkeitsbewertung und Lebensdauermodellierung von GaN-basierten Leistungsbauelementen
Laufzeit:
01.05.2019
- 31.10.2022
Förderkennzeichen: 16ESE0421S
Koordinator: Technische Universität Chemnitz - Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik - Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien
Verbund:
Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Schweiz
Spanien
Italien
Norwegen
Slowakei
Schweden
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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