Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: RF GaN Substrat Wafer

Das ECSEL-Vorhaben UltimateGaN vereint europaweit 26 Partner aus 9 Ländern, um gemeinsam die Voraussetzungen für anspruchsvollste Galliumnitrid auf Silizium basierter RF- und Leistungshalbleiter, gefertigt in Europa, zu schaffen. Hauptziele von UltimateGaN sind (a) Absicherung von Europas führender Position im Bereich Leistungselektronik durch Forcierung von Innovationen im wichtigen Gebiet der nächsten Generation von GaN-basierten Technologien (b) Erarbeitung von höchster Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit für neueste GaN auf Si Technologie (c) Sicherung von "Made in Europe" für die Wachstumsmärkte 5G-RF und High-End Leistungselektronik durch frühzeitigen Zugang zu den neuesten Technologien im Rahmen von gemeinschaftlicher Forschung und Innovation. Dafür sind Forschungs- und Innovationsaktivitäten in den Bereichen Technologie (inkl. Materialien, Equipment und Device-Konzepten), Packaging, Zuverlässigkeit und Anwendungen vorgesehen, die die gesamte vertikalen Wertschöpfungskette für RF- und Leistungselektronik abdecken. Siltronic als Materiallieferant wird dabei sowohl das Si Basissubstrat wie die GaN Puffer und aktive Schichten für die RF GaN Bauelemente in Hinsicht auf Defekte, RF Verluste und Wafer Ausbeute verbessern. Das UltimateGaN Projekt ermöglicht Siltronic, seine GaN Aktivitäten auf den RF Bereich auszuweiten und zusammen mit den Projektpartnern den zukunftsträchtigen GaN RF- und Leistungshalbleitermarkt mit verbesserten Produkten der nächsten Generation zu bedienen.